EFP ÉnergiePlateau en graphite avec revêtement en carbure de silicium, Plate et Cover sont conçus pour offrir des performances de haut niveau, offrant un fonctionnement fiable et cohérent lors d'une utilisation prolongée, ce qui en fait un choix essentiel pour les applications de traitement de plaquettes dans l'industrie des semi-conducteurs. Cette haute performancePlaque de graphite à revêtement en carbure de siliciumpossède une résistance thermique exceptionnelle, une uniformité thermique supérieure et une stabilité chimique exceptionnelle, en particulier dans des conditions de température élevée. Sa construction de haute pureté, associée à une résistance avancée à l'érosion, le rend indispensable pour les environnements exigeants tels queSuscepteurs du MOCVD.
Principales caractéristiques du plateau, de la plaque et du couvercle en graphite à revêtement en carbure de silicium
1. Résistance à l’oxydation à haute température :Résiste à des températures allant jusqu'à 1 700 ℃, ce qui lui permet de fonctionner de manière fiable dans des conditions extrêmes.
2. Haute pureté et uniformité thermique :Une pureté élevée constante et une répartition homogène de la chaleur sont cruciales pour les applications MOCVD.
3. Résistance exceptionnelle à la corrosion :Résistant aux acides, aux alcalis, aux sels et à divers réactifs organiques, assurant une stabilité à long terme dans divers environnements.
4. Dureté élevée et surface compacte :Présente une surface dense avec de fines particules, améliorant la durabilité globale et la résistance à l'usure.
5. Durée de vie prolongée :Conçu pour la longévité, surpassant les systèmes conventionnelssuscepteurs en graphite recouverts de carbure de siliciumdans des environnements difficiles de traitement des semi-conducteurs.
MCV SiC薄膜基本物理性能 Propriétés physiques de base du CVD SiCrevêtement | |
性质 / Propriété | 典型数值 / Valeur typique |
晶体结构 / Structure Cristalline | Phase β du FCC多晶,主要为(111) |
密度 / Densité | 3,21 g/cm³ |
硬度 / Dureté | 2500 维氏硬度 (charge de 500 g) |
晶粒大小 / TAILLE DES GRAINS | 2~10μm |
纯度 / Pureté chimique | 99,99995% |
热容 / Capacité thermique | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Température de sublimation | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Résistance à la flexion | 415 MPa RT 4 points |
杨氏模量 / Module de Young | Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
导热系数 / ThermesjeConductivité | 300W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Expansion thermique (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
L'expertise de VET Energy dans les solutions personnalisées en graphite et en carbure de silicium
En tant que fabricant de confiance, VET Energy est spécialisé dans les suscepteurs en graphite et les solutions de revêtement en carbure de silicium conçus sur mesure. Nous proposons une gamme de produits adaptés aux industries des semi-conducteurs et du photovoltaïque, notammentComposants en graphite revêtus de SiCcomme les plateaux, les assiettes et les couvercles. Notre gamme de produits comprend également diverses options de revêtement, telles queRevêtement SiC pour MOCVD, revêtement TaC, revêtement de carbone vitreuxet un revêtement en carbone pyrolytique, garantissant que nous répondons aux différentes demandes des industries de haute technologie.
Notre équipe technique expérimentée, composée d'experts des plus grandes institutions de recherche nationales, fournit des solutions matérielles complètes aux clients. Nous affinons continuellement nos processus avancés, y compris une technologie brevetée exclusive qui améliore la liaison entre le revêtement en carbure de silicium et le substrat en graphite, réduisant ainsi le risque de détachement et prolongeant encore la durée de vie du produit.
Applications et avantages dans la fabrication de semi-conducteurs
LeRevêtement en carbure de silicium pour MOCVDrend ces suscepteurs en graphite très efficaces dans les environnements corrosifs à haute température. Qu'ils soient utilisés comme supports de tranches de graphite ou comme autres composants MOCVD, ces suscepteurs recouverts de carbure de silicium démontrent une durabilité et des performances supérieures. Pour ceux qui recherchent des solutions fiables dans leSuscepteur en graphite recouvert de SiCSur le marché, le plateau, la plaque et le couvercle en graphite recouverts de carbure de silicium de VET Energy offrent une option robuste et polyvalente qui répond aux exigences rigoureuses de l'industrie des semi-conducteurs.
En se concentrant sur la science avancée des matériaux, VET Energy s'engage à fournir des solutions de graphite à revêtement SiC hautes performances qui stimulent l'innovation dans le traitement des semi-conducteurs et garantissent des performances fiables dans toutes les applications liées au MOCVD.
VET Energy est le véritable fabricant de produits personnalisés en graphite et en carbure de silicium avec différents revêtements tels que le revêtement SiC, le revêtement TaC, le revêtement de carbone vitreux, le revêtement de carbone pyrolytique, etc., et peut fournir diverses pièces personnalisées pour l'industrie des semi-conducteurs et du photovoltaïque.
Notre équipe technique provient des meilleures institutions de recherche nationales et peut vous fournir des solutions matérielles plus professionnelles.
Nous développons continuellement des processus avancés pour fournir des matériaux plus avancés et avons élaboré une technologie brevetée exclusive, qui peut rendre la liaison entre le revêtement et le substrat plus serrée et moins sujette au détachement.
Bienvenue chaleureusement à visiter notre usine, discutons-en davantage !