CHAMP D'APPLICATION


Application et performance du produit Applications et utilisations du produit
Industrie des monocristaux de silicium, socles MOCVD pour GaN, AlN, saphir et autres. - Revêtement de base en graphite pour la croissance épitaxiale de silicium monocristallin
Principales performances : pureté élevée, résistance à l’érosion, conductivité thermique élevée, procédé MOCVD, revêtement de base en graphite pour la croissance épitaxiale de GaN
Résistance aux hautes températures, faible coefficient de dilatation thermique.
| Conductivité thermique | 250 W/m °K | Méthode du flash laser, RT |
| Dilatation thermique (CTE) | 4,5 x 10-6°K | Température ambiante à 950 °C, dilatomètre en silice |
| Propriété | Valeur | Méthode |
| Densité | 3,21 g/cm³ | Évier-flotteur et dimensions |
| Chaleur spécifique | 0,66 J/g °K | Flash laser pulsé |
| Résistance à la flexion | 450 MPa 560 MPa | Pliage en 4 points, pliage RT4 points, 1300° |
| ténacité à la rupture | 2,94 MPa m1/2 | Microindentation |
| Dureté | 2800 | Vickers, charge de 500 g |
| Module d'élasticité Module de Young | 450 GPa 430 GPa | 4 points de pliage, RT4 points de pliage, 1300 °C |
| Taille des grains | 2 - 10 µm | MEB |

Pureté, structure MEB, analyse d'épaisseur derevêtement SiC
La pureté des revêtements de SiC sur graphite obtenus par CVD atteint 99,9995 %. Leur structure est cubique à faces centrées (cfc). Les films de SiC déposés sur graphite présentent une orientation (111), comme le montrent les données de diffraction des rayons X (Fig. 1), ce qui indique leur haute qualité cristalline. L'épaisseur du film de SiC est très uniforme, comme le montre la Fig. 2.
Fig. 2 : épaisseur uniforme des films de SiC
La structure cristalline du film de SiC déposé par CVD est une structure cubique à faces centrées, et l'orientation de croissance du film est proche de 100 %. Analyse MEB et DRX d'un film de β-SiC sur graphite
BASE ÉPITAXIALE EN SILICIUM MONOCRISTALLIN
Performances du produit et perspectives d'application.
Revêtement en carbure de silicium (SiC)Ce substrat est idéal pour l'épitaxie du silicium monocristallin et du GaN ; il constitue le composant essentiel du four d'épitaxie. Accessoire indispensable à la production de silicium monocristallin pour les circuits intégrés de grande taille, il se distingue par sa grande pureté, sa résistance aux hautes températures et à la corrosion, ainsi que par son excellente étanchéité à l'air.
Application et utilisation du produit
Revêtement de base en graphite pour la croissance épitaxiale de silicium monocristallin. Convient aux machines Aixtron, etc. Épaisseur du revêtement : 90 à 150 µm. Le diamètre du cratère de la plaquette est de 55 mm.
SOLAIRE PHOTOVOLTAÏQUE
GAupidpelitcubaetiaonnd
revêtement de creuset en graphitepour le silicium monocristallin par la méthode d'extraction directe
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Atelier sans poussière de classe 1000
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