Revêtement en SiC

VET ENERGY, fabricant leader de revêtements CVD SiC en Chine

Les matériaux changent l'avenir

Le carbure de silicium (SiC) est un nouveau matériau semi-conducteur composé. Il possède une large bande interdite (environ trois fois celle du silicium), un champ critique élevé (environ dix fois celui du silicium) et une conductivité thermique élevée (environ trois fois celle du silicium). C'est un matériau semi-conducteur de nouvelle génération prometteur. Les revêtements de SiC sont largement utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs et le photovoltaïque. En particulier, les suscepteurs utilisés pour la croissance épitaxiale des LED et l'épitaxie de monocristaux de silicium nécessitent un revêtement de SiC. Compte tenu de la forte croissance des LED dans le secteur de l'éclairage et de l'affichage, et du développement dynamique de l'industrie des semi-conducteurs,produit de revêtement SiCLes perspectives sont très bonnes.

CHAMP D'APPLICATION

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Application et performance du produit                                                                                               Applications et utilisations du produit

Industrie des monocristaux de silicium, socles MOCVD pour GaN, AlN, saphir et autres. - Revêtement de base en graphite pour la croissance épitaxiale de silicium monocristallin

Principales performances : pureté élevée, résistance à l’érosion, conductivité thermique élevée, procédé MOCVD, revêtement de base en graphite pour la croissance épitaxiale de GaN

Résistance aux hautes températures, faible coefficient de dilatation thermique.

 

Industrie des semi-conducteurs
Industrie des semi-conducteurs
Industrie des semi-conducteurs
photovoltaïque solaire

 

Conductivité thermique 250 W/m °K Méthode du flash laser, RT
Dilatation thermique (CTE) 4,5 x 10-6°K Température ambiante à 950 °C, dilatomètre en silice
       Propriété Valeur Méthode
Densité 3,21 g/cm³ Évier-flotteur et dimensions
Chaleur spécifique 0,66 J/g °K Flash laser pulsé
Résistance à la flexion 450 MPa 560 MPa Pliage en 4 points, pliage RT4 points, 1300°
ténacité à la rupture 2,94 MPa m1/2 Microindentation
Dureté 2800 Vickers, charge de 500 g
Module d'élasticité Module de Young 450 GPa 430 GPa 4 points de pliage, RT4 points de pliage, 1300 °C
Taille des grains 2 - 10 µm MEB

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Pureté, structure MEB, analyse d'épaisseur derevêtement SiC

La pureté des revêtements de SiC sur graphite obtenus par CVD atteint 99,9995 %. Leur structure est cubique à faces centrées (cfc). Les films de SiC déposés sur graphite présentent une orientation (111), comme le montrent les données de diffraction des rayons X (Fig. 1), ce qui indique leur haute qualité cristalline. L'épaisseur du film de SiC est très uniforme, comme le montre la Fig. 2.

Données MEB d'un film mince de SiC CVD, la taille des cristaux est de 2 à 1 µm.

Partie 2

Fig. 2 : épaisseur uniforme des films de SiC

La structure cristalline du film de SiC déposé par CVD est une structure cubique à faces centrées, et l'orientation de croissance du film est proche de 100 %.

Photo 1

Analyse MEB et DRX d'un film de β-SiC sur graphite

Photo 1

BASE ÉPITAXIALE EN SILICIUM MONOCRISTALLIN

Performances du produit et perspectives d'application.

Revêtement en carbure de silicium (SiC)Ce substrat est idéal pour l'épitaxie du silicium monocristallin et du GaN ; il constitue le composant essentiel du four d'épitaxie. Accessoire indispensable à la production de silicium monocristallin pour les circuits intégrés de grande taille, il se distingue par sa grande pureté, sa résistance aux hautes températures et à la corrosion, ainsi que par son excellente étanchéité à l'air.

Application et utilisation du produit

Revêtement de base en graphite pour la croissance épitaxiale de silicium monocristallin. Convient aux machines Aixtron, etc. Épaisseur du revêtement : 90 à 150 µm. Le diamètre du cratère de la plaquette est de 55 mm.

SOLAIRE PHOTOVOLTAÏQUE

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revêtement de creuset en graphitepour le silicium monocristallin par la méthode d'extraction directe

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Production industrielle de silicium monocristallin par la méthode d'étirage direct,creuset à trois pétalesen tant que pièces de roulement à haute température et à conduction thermique uniforme, tube d'écoulement en tant que canal de circulation des gaz d'échappement
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Caractéristiques du produit
Résistance aux hautes températures et à la corrosion, longue durée de vie : ces caractéristiques améliorent la qualité et le rendement des plaquettes. Très faible coefficient de dilatation thermique, résistance élevée à l’usure, bonne isolation, bonne stabilité chimique, et pénétration de la lumière visible extérieure proche du violet (rouge).
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Pourquoi nous choisir ?

Équipement professionnel et équipe

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*Équipe de recherche et développement coopérative de l'Académie chinoise des sciences

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Service rapide

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Détails de l'emballage

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Section 5

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd est un fabricant spécialisé dans les pièces en graphite, notamment dans le développement de nouveaux matériaux semi-conducteurs et plus particulièrement dans la recherche et le développement de revêtements en carbure de silicium (SiC). Ses principaux produits sont des suscepteurs revêtus de SiC destinés aux industries des LED et du silicium monocristallin. Le film de SiC utilisé dans ces industries est de phase cubique, présentant la même structure cristalline que le diamant et une dureté équivalente. Le carbure de silicium est le matériau semi-conducteur à large bande interdite le plus mature et offre de vastes perspectives d'application dans l'industrie des semi-conducteurs. De plus, il possède une conductivité thermique élevée, un faible coefficient de dilatation thermique, une résistance aux hautes températures (environ 2 700 °C) et une excellente résistance à la corrosion. Les revêtements en carbure de silicium proposés par l'entreprise sont également largement utilisés dans les secteurs de l'aérospatiale, du photovoltaïque, du nucléaire, du ferroviaire à grande vitesse, de l'automobile et autres.

FAQ

Avez-vous une quantité minimale de commande ?

Oui, nous exigeons que toutes les commandes internationales aient une quantité minimale de commande permanente.

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Oui, nous pouvons fournir la plupart des documents, y compris les certificats d'analyse/de conformité, l'assurance, l'origine et autres documents d'exportation requis.

Quel est le délai de livraison moyen ?

Pour les échantillons, le délai est d'environ 7 jours. Pour la production en série, il est de 15 à 25 jours après réception de l'acompte. Ces délais commencent à courir dès réception de votre acompte et de votre validation finale des produits. Nous nous efforcerons toujours de répondre à vos besoins et, dans la plupart des cas, nous y parviendrons.

Quels modes de paiement acceptez-vous ?

Vous pouvez effectuer le paiement sur notre compte bancaire, par Western Union ou via PayPal :
30% d'acompte à l'avance, 70% du solde avant expédition ou contre la copie du connaissement.

Quelle est la garantie du produit ?

Nous garantissons nos matériaux et notre main-d'œuvre. Votre satisfaction est notre priorité. Sous garantie ou non, notre culture d'entreprise est de traiter et de résoudre tous les problèmes de nos clients à leur entière satisfaction.

Garantissez-vous une livraison sûre et sécurisée des produits ?

Oui, nous utilisons systématiquement des emballages d'exportation de haute qualité. Nous utilisons également des emballages spécifiques pour les marchandises dangereuses et des conteneurs frigorifiques homologués pour les produits thermosensibles. Les emballages spéciaux et les exigences d'emballage non standard peuvent entraîner des frais supplémentaires.

Et les frais de livraison ?

Les frais de livraison dépendent du mode d'expédition choisi. La livraison express est généralement la plus rapide, mais aussi la plus onéreuse. Le transport maritime est la solution idéale pour les commandes importantes. Nous ne pouvons vous fournir un tarif précis qu'après avoir pris connaissance de la quantité, du poids et du mode d'expédition. Veuillez nous contacter pour plus d'informations.

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