Les exigences de l'industrie des semi-conducteurs en matière de matériaux en graphite sont particulièrement élevées ; la granulométrie fine du graphite présente une grande précision, une résistance aux hautes températures, une grande solidité, de faibles pertes et d'autres avantages, tels que : moule pour produits en graphite fritté.Étant donné que les équipements en graphite utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs (y compris les éléments chauffants et leurs matrices frittées) doivent résister à des cycles répétés de chauffage et de refroidissement, il est généralement nécessaire, pour prolonger la durée de vie de ces équipements, que les matériaux en graphite utilisés présentent des performances stables et une résistance aux chocs thermiques.
01 Accessoires en graphite pour la croissance de cristaux semi-conducteurs
Tous les procédés de croissance des cristaux semi-conducteurs se déroulent à haute température et en milieu corrosif. La zone chaude du four de croissance cristalline est généralement équipée de composants en graphite de haute pureté, résistants à la chaleur et à la corrosion : élément chauffant, creuset, cylindre isolant, cylindre de guidage, électrode, porte-creuset, écrou d’électrode, etc.
Nous fabriquons toutes les pièces en graphite pour les équipements de production de cristaux, disponibles à l'unité ou en kits, ainsi que des pièces sur mesure de différentes dimensions selon les besoins du client. Les dimensions des produits sont mesurées sur site et la teneur en cendres des produits finis est réduite.que 5 ppm.
02 Accessoires en graphite pour l'épitaxie des semi-conducteurs
Le procédé épitaxial consiste à faire croître une couche de matériau monocristallin, présentant la même structure cristalline que le substrat, sur ce dernier. Lors de ce procédé, la plaquette est déposée sur un disque de graphite. Les performances et la qualité de ce disque sont essentielles à la qualité de la couche épitaxiale. La production épitaxiale requiert une grande quantité de graphite ultra-pur et de support en graphite de haute pureté avec revêtement SiC.
Notre support en graphite pour l'épitaxie des semi-conducteurs possède un large éventail d'applications, est compatible avec la plupart des équipements couramment utilisés dans l'industrie et présente une pureté élevée, un revêtement uniforme, une excellente durée de vie, ainsi qu'une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.
03 Accessoires en graphite pour l'implantation ionique
L'implantation ionique consiste à accélérer un faisceau de plasma de bore, de phosphore et d'arsenic à une énergie spécifique, puis à l'injecter dans la couche superficielle d'une plaquette afin d'en modifier les propriétés. Les composants du dispositif d'implantation ionique doivent être fabriqués à partir de matériaux de haute pureté présentant une excellente résistance à la chaleur, une conductivité thermique élevée, une faible corrosion par le faisceau d'ions et une faible teneur en impuretés. Le graphite de haute pureté répond aux exigences de l'application et peut être utilisé pour le tube de vol, les fentes, les électrodes, les couvercles d'électrodes, les conduits, les terminateurs de faisceau, etc., des équipements d'implantation ionique.
Nous proposons des protections en graphite pour diverses machines d'implantation ionique, ainsi que des électrodes et des sources d'ions en graphite de haute pureté, à haute résistance à la corrosion et disponibles en différentes spécifications. Modèles compatibles : Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM et autres. Nous fournissons également des produits et pièces revêtues en céramique, tungstène, molybdène et aluminium.
04 Matériaux d'isolation en graphite et autres
Les matériaux d'isolation thermique utilisés dans les équipements de production de semi-conducteurs comprennent le feutre dur en graphite, le feutre souple, la feuille de graphite, le papier graphite et la corde en graphite.
Toutes nos matières premières sont du graphite importé, qui peut être découpé selon les dimensions spécifiques requises par le client ou vendu entier.
Le plateau en carbone-carbone sert de support pour le dépôt de couches minces lors de la production de cellules solaires en silicium monocristallin et polycristallin. Son principe de fonctionnement est le suivant : insérer la puce de silicium dans le plateau en carbone-carbone, puis l’introduire dans le tube du four pour le dépôt de la couche mince.
