CVD-SiCle revêtement a les caractéristiques d'une structure uniforme, d'un matériau compact, d'une résistance à haute température, d'une résistance à l'oxydation, d'une grande pureté, d'une résistance aux acides et aux alcalis et d'un réactif organique, avec des propriétés physiques et chimiques stables.

Comparé aux matériaux graphite de haute pureté, le graphite commence à s'oxyder à 400 °C, ce qui entraînera une perte de poudre due à l'oxydation, entraînant une pollution de l'environnement des dispositifs périphériques et des chambres à vide, et augmentant les impuretés de l'environnement de haute pureté.

Cependant, le revêtement SiC peut maintenir une stabilité physique et chimique à 1 600 degrés. Il est largement utilisé dans l’industrie moderne, en particulier dans l’industrie des semi-conducteurs.

Notre société fournit des services de processus de revêtement SiC par méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules SiC de haute pureté, des molécules déposées à la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice SIC. Le SIC formé est fermement lié à la base de graphite, conférant à la base de graphite des propriétés spéciales, rendant ainsi la surface du graphite compacte, sans porosité, résistante aux hautes températures, à la corrosion et à l'oxydation.

Principales caractéristiques :

1. Résistance à l’oxydation à haute température :

la résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température atteint 1600 C.

2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.

3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.

4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

Principales spécifications des revêtements CVD-SIC :