GaN sur plaquette de silicium pour RF

Brève description :

Le GaN sur plaquette de silicium pour RF, fourni par VET Energy, est conçu pour prendre en charge les applications radiofréquences (RF) haute fréquence. Ces plaquettes combinent les avantages du nitrure de gallium (GaN) et du silicium (Si) pour offrir une excellente conductivité thermique et un rendement énergétique élevé, ce qui les rend idéales pour les composants RF utilisés dans les systèmes de télécommunications, de radars et de satellites. VET Energy garantit que chaque plaquette répond aux normes de performances les plus élevées requises pour la fabrication avancée de semi-conducteurs.


Détail du produit

Mots clés du produit

VET Energy GaN sur Silicon Wafer est une solution semi-conductrice de pointe conçue spécifiquement pour les applications radiofréquences (RF). En faisant croître par épitaxie du nitrure de gallium (GaN) de haute qualité sur un substrat de silicium, VET Energy offre une plate-forme rentable et hautes performances pour une large gamme de dispositifs RF.

Cette plaquette GaN sur silicium est compatible avec d'autres matériaux tels que la plaquette Si, le substrat SiC, la plaquette SOI et le substrat SiN, élargissant ainsi sa polyvalence pour divers processus de fabrication. De plus, il est optimisé pour une utilisation avec Epi Wafer et des matériaux avancés tels que l'oxyde de gallium Ga2O3 et l'AlN Wafer, qui améliorent encore ses applications dans l'électronique de haute puissance. Les plaquettes sont conçues pour une intégration transparente dans les systèmes de fabrication utilisant une manipulation standard de cassettes pour une utilisation facile et une efficacité de production accrue.

VET Energy propose une gamme complète de substrats semi-conducteurs, notamment Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer. Notre gamme diversifiée de produits répond aux besoins de diverses applications électroniques, de l'électronique de puissance à la RF et à l'optoélectronique.

Le GaN sur plaquette de silicium offre plusieurs avantages pour les applications RF :

       • Performances haute fréquence :La large bande interdite et la grande mobilité électronique du GaN permettent un fonctionnement à haute fréquence, ce qui le rend idéal pour la 5G et d'autres systèmes de communication à haut débit.
     • Haute densité de puissance :Les dispositifs GaN peuvent gérer des densités de puissance plus élevées que les dispositifs traditionnels à base de silicium, ce qui conduit à des systèmes RF plus compacts et efficaces.
       • Faible consommation d'énergie :Les dispositifs GaN présentent une consommation d'énergie inférieure, ce qui se traduit par une efficacité énergétique améliorée et une dissipation thermique réduite.

Applications :

       • Communication sans fil 5G :Les plaquettes GaN sur silicium sont essentielles à la construction de stations de base et d'appareils mobiles 5G hautes performances.
     • Systèmes radar :Les amplificateurs RF basés sur GaN sont utilisés dans les systèmes radar pour leur rendement élevé et leur large bande passante.
   • Communication par satellite :Les dispositifs GaN permettent des systèmes de communication par satellite à haute puissance et haute fréquence.
     • Electronique militaire :Les composants RF basés sur GaN sont utilisés dans des applications militaires telles que la guerre électronique et les systèmes radar.

VET Energy propose des plaquettes GaN sur silicium personnalisables pour répondre à vos besoins spécifiques, notamment différents niveaux de dopage, épaisseurs et tailles de plaquettes. Notre équipe d’experts fournit un support technique et un service après-vente pour assurer votre succès.

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SPÉCIFICATIONS DES PLAQUETTES

*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant

Article

8 pouces

6 pouces

4 pouces

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arc (GF3YFCD)-Valeur absolue

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Chaîne (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Bord de la plaquette

Biseautage

FINITION DE SURFACE

*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant

Article

8 pouces

6 pouces

4 pouces

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Finition de surface

Polissage optique double face, Si- Face CMP

Rugosité de surface

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
Face C Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
Face C Ra≤0,5 nm

Puces de bord

Aucun autorisé (longueur et largeur≥0,5 mm)

Retraits

Aucun permis

Rayures (Si-Face)

Quantité ≤5, cumulatif
Longueur≤0,5×diamètre de la plaquette

Quantité ≤5, cumulatif
Longueur≤0,5×diamètre de la plaquette

Quantité ≤5, cumulatif
Longueur≤0,5×diamètre de la plaquette

Fissures

Aucun permis

Exclusion de bord

3mm

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