La plaquette SiC semi-isolante de 6 pouces de VET Energy est une solution avancée pour les applications haute puissance et haute fréquence, offrant une conductivité thermique et une isolation électrique supérieures. Ces plaquettes semi-isolantes sont essentielles au développement de dispositifs tels que des amplificateurs RF, des interrupteurs de puissance et d'autres composants haute tension. VET Energy garantit une qualité et des performances constantes, ce qui rend ces plaquettes idéales pour une large gamme de processus de fabrication de semi-conducteurs.
En plus de leurs propriétés isolantes exceptionnelles, ces plaquettes SiC sont compatibles avec une variété de matériaux, notamment Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate et Epi Wafer, ce qui les rend polyvalentes pour différents types de processus de fabrication. De plus, des matériaux avancés tels que l'oxyde de gallium Ga2O3 et la plaquette d'AlN peuvent être utilisés en combinaison avec ces plaquettes de SiC, offrant ainsi une flexibilité encore plus grande dans les dispositifs électroniques de haute puissance. Les plaquettes sont conçues pour une intégration transparente avec les systèmes de manipulation standard de l'industrie tels que les systèmes à cassettes, garantissant ainsi une facilité d'utilisation dans les environnements de production de masse.
VET Energy propose une gamme complète de substrats semi-conducteurs, notamment Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer. Notre gamme diversifiée de produits répond aux besoins de diverses applications électroniques, de l'électronique de puissance à la RF et à l'optoélectronique.
La plaquette SiC semi-isolante de 6 pouces offre plusieurs avantages :
Tension de claquage élevée : la large bande interdite du SiC permet des tensions de claquage plus élevées, permettant ainsi des dispositifs d'alimentation plus compacts et plus efficaces.
Fonctionnement à haute température : l'excellente conductivité thermique du SiC permet un fonctionnement à des températures plus élevées, améliorant ainsi la fiabilité de l'appareil.
Faible résistance à l'état passant : les dispositifs SiC présentent une résistance à l'état passant plus faible, ce qui réduit les pertes de puissance et améliore l'efficacité énergétique.
VET Energy propose des plaquettes SiC personnalisables pour répondre à vos exigences spécifiques, notamment différentes épaisseurs, niveaux de dopage et finitions de surface. Notre équipe d’experts fournit un support technique et un service après-vente pour assurer votre succès.
SPÉCIFICATIONS DES PLAQUETTES
*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant
Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arc (GF3YFCD)-Valeur absolue | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Chaîne(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Bord de la plaquette | Biseautage |
FINITION DE SURFACE
*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant
Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Finition de surface | Polissage optique double face, Si- Face CMP | ||||
Rugosité de surface | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Puces de bord | Aucun autorisé (longueur et largeur≥0,5 mm) | ||||
Retraits | Aucun permis | ||||
Rayures (Si-Face) | Quantité ≤5, cumulatif | Quantité ≤5, cumulatif | Quantité ≤5, cumulatif | ||
Fissures | Aucun permis | ||||
Exclusion de bord | 3mm |