Propriétés du carbure de silicium recristallisé
Le carbure de silicium recristallisé (R-SiC) est un matériau haute performance dont la dureté est juste derrière le diamant, qui est formé à une température élevée supérieure à 2 000 ℃. Il conserve de nombreuses excellentes propriétés du SiC, telles qu'une résistance à haute température, une forte résistance à la corrosion, une excellente résistance à l'oxydation, une bonne résistance aux chocs thermiques, etc.
● Excellentes propriétés mécaniques. Le carbure de silicium recristallisé a une résistance et une rigidité plus élevées que la fibre de carbone, une résistance élevée aux chocs, peut jouer de bonnes performances dans des environnements à températures extrêmes, peut jouer une meilleure performance de contrepoids dans une variété de situations. De plus, il a également une bonne flexibilité et n'est pas facilement endommagé par l'étirement et la flexion, ce qui améliore considérablement ses performances.
● Haute résistance à la corrosion. Le carbure de silicium recristallisé a une résistance élevée à la corrosion sur une variété de supports, peut empêcher l'érosion d'une variété de supports corrosifs, peut conserver ses propriétés mécaniques pendant une longue période, a une forte adhérence, de sorte qu'il ait une durée de vie plus longue. De plus, il présente également une bonne stabilité thermique, peut s'adapter à une certaine plage de changements de température et améliorer son effet d'application.
● Le frittage ne rétrécit pas. Étant donné que le processus de frittage ne rétrécit pas, aucune contrainte résiduelle ne provoquera de déformation ou de fissuration du produit, et des pièces aux formes complexes et de haute précision peuvent être préparées.
重结晶碳化硅物理特性 Propriétés physiques du carbure de silicium recristallisé | |
性质 / Propriété | 典型数值 / Valeur typique |
使用温度/ Température de travail (°C) | 1600°C (avec oxygène), 1700°C (environnement réducteur) |
SiC含量/ Contenu SiC | > 99,96% |
自由Si含量/ Contenu Si gratuit | < 0,1% |
体积密度/Densité apparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
气孔率/ Porosité apparente | < 16% |
抗压强度/ Résistance à la compression | > 600MPa |
常温抗弯强度/Résistance à la flexion à froid | 80-90 MPa (20°C) |
高温抗弯强度Résistance à la flexion à chaud | 90-100 MPa (1 400 °C) |
热膨胀系数/ Expansion thermique à 1500°C | 4,70 10-6/°C |
导热系数/Conductivité thermique à 1200°C | 23W/m•K |
杨氏模量/ Module élastique | 240 GPa |
抗热震性/ Résistance aux chocs thermiques | Extrêmement bien |
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MCV SiC薄膜基本物理性能 Propriétés physiques de base du CVD SiCrevêtement | |
性质 / Propriété | 典型数值 / Valeur typique |
晶体结构 / Structure Cristalline | Phase β du FCC多晶,主要为(111) |
密度 / Densité | 3,21 g/cm³ |
硬度 / Dureté | 2500 维氏硬度 (charge de 500 g) |
晶粒大小 / TAILLE DES GRAINS | 2~10μm |
纯度 / Pureté chimique | 99,99995% |
热容 / Capacité thermique | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Température de sublimation | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Résistance à la flexion | 415 MPa RT 4 points |
杨氏模量 / Module de Young | Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
导热系数 / ThermesjeConductivité | 300W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Expansion thermique (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
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