Cette plaquette SiC de type N de 6 pouces est conçue pour des performances améliorées dans des conditions extrêmes, ce qui en fait un choix idéal pour les applications nécessitant une puissance élevée et une résistance à la température. Les principaux produits associés à cette plaquette comprennent Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer et SiN Substrate. Ces matériaux garantissent des performances optimales dans une variété de processus de fabrication de semi-conducteurs, permettant ainsi des dispositifs à la fois économes en énergie et durables.
Pour les entreprises travaillant avec des plaquettes Epi, de l'oxyde de gallium Ga2O3, des cassettes ou des plaquettes AlN, la plaquette SiC de type N de 6 pouces de VET Energy fournit la base nécessaire au développement de produits innovants. Qu'il s'agisse d'électronique de haute puissance ou de la dernière technologie RF, ces plaquettes garantissent une excellente conductivité et une résistance thermique minimale, repoussant les limites de l'efficacité et des performances.
SPÉCIFICATIONS DES PLAQUETTES
*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant
Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arc (GF3YFCD)-Valeur absolue | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Chaîne(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Bord de la plaquette | Biseautage |
FINITION DE SURFACE
*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant
Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Finition de surface | Polissage optique double face, Si- Face CMP | ||||
Rugosité de surface | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Puces de bord | Aucun autorisé (longueur et largeur≥0,5 mm) | ||||
Retraits | Aucun permis | ||||
Rayures (Si-Face) | Quantité ≤5, cumulatif | Quantité ≤5, cumulatif | Quantité ≤5, cumulatif | ||
Fissures | Aucun permis | ||||
Exclusion de bord | 3mm |