La plaquette GaAs de 4 pouces de VET Energy est un matériau essentiel pour les dispositifs optoélectroniques à grande vitesse, notamment les amplificateurs RF, les LED et les cellules solaires. Ces plaquettes sont connues pour leur grande mobilité électronique et leur capacité à fonctionner à des fréquences plus élevées, ce qui en fait un élément clé dans les applications avancées des semi-conducteurs. VET Energy garantit des tranches de GaAs de qualité supérieure avec une épaisseur uniforme et un minimum de défauts, adaptées à une gamme de processus de fabrication exigeants.
Ces plaquettes GaAs de 4 pouces sont compatibles avec divers matériaux semi-conducteurs tels que Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer et SiN Substrate, ce qui les rend polyvalentes pour une intégration dans différentes architectures de dispositifs. Qu'ils soient utilisés pour la production d'Epi Wafer ou aux côtés de matériaux de pointe comme l'oxyde de gallium Ga2O3 et l'AlN Wafer, ils offrent une base fiable pour l'électronique de nouvelle génération. De plus, les plaquettes sont entièrement compatibles avec les systèmes de manipulation basés sur des cassettes, garantissant ainsi des opérations fluides dans les environnements de recherche et de fabrication à haut volume.
VET Energy propose une gamme complète de substrats semi-conducteurs, notamment Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer. Notre gamme diversifiée de produits répond aux besoins de diverses applications électroniques, de l'électronique de puissance à la RF et à l'optoélectronique.
VET Energy propose des tranches de GaAs personnalisables pour répondre à vos exigences spécifiques, notamment différents niveaux de dopage, orientations et finitions de surface. Notre équipe d’experts fournit un support technique et un service après-vente pour assurer votre succès.
SPÉCIFICATIONS DES PLAQUETTES
*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant
Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arc (GF3YFCD)-Valeur absolue | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Chaîne (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Bord de la plaquette | Biseautage |
FINITION DE SURFACE
*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant
Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Finition de surface | Polissage optique double face, Si- Face CMP | ||||
Rugosité de surface | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Puces de bord | Aucun autorisé (longueur et largeur≥0,5 mm) | ||||
Retraits | Aucun permis | ||||
Rayures (Si-Face) | Quantité ≤5, cumulatif | Quantité ≤5, cumulatif | Quantité ≤5, cumulatif | ||
Fissures | Aucun permis | ||||
Exclusion de bord | 3mm |