Le suscepteur en graphite revêtu de SiC pour LED UV profondes est un composant essentiel utilisé dans divers procédés de fabrication de semi-conducteurs. Grâce à notre technologie brevetée, nous produisons un support en carbure de silicium d'une pureté exceptionnelle, présentant une excellente uniformité de revêtement, une durée de vie optimale, ainsi qu'une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.
Caractéristiques de nos produits :
1. Résistance à l'oxydation à haute température jusqu'à 1700℃.
2. Pureté élevée et uniformité thermique
3. Excellente résistance à la corrosion : acides, bases, sels et réactifs organiques.
4. Dureté élevée, surface compacte, particules fines.
5. Durée de vie plus longue et plus durable
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Propriétés physiques fondamentales du SiC CVDrevêtement | |
| 性质 / Propriété | 典型数值 / Valeur typique |
| 晶体结构 / Structure cristalline | Phase β de la structure cubique à faces centrées (CFC)多晶,主要为(111) |
| 密度 / Densité | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureté | 2 500 维氏硬度 (charge de 500 g) |
| 晶粒大小 / Taille du grain | 2~10 μm |
| 纯度 / Pureté chimique | 99,99995% |
| 热容 / Capacité thermique | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Température de sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Résistance à la flexion | 415 MPa RT 4 points |
| 杨氏模量 Module de Young | 430 Gpa flexion 4 points, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermielConductivité | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Dilatation thermique (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy est le véritable fabricant de produits personnalisés en graphite et en carbure de silicium avec différents revêtements comme le revêtement SiC, le revêtement TaC, le revêtement en carbone vitreux, le revêtement en carbone pyrolytique, etc., et peut fournir diverses pièces personnalisées pour l'industrie des semi-conducteurs et du photovoltaïque.
Notre équipe technique, issue des meilleurs instituts de recherche nationaux, peut vous fournir des solutions matérielles plus professionnelles.
Nous développons en permanence des procédés avancés pour fournir des matériaux plus performants et avons mis au point une technologie brevetée exclusive qui permet de rendre la liaison entre le revêtement et le substrat plus étroite et moins sujette au détachement.
Nous vous invitons chaleureusement à visiter notre usine, pourrons en discuter plus en détail !
-
Fabricant chinois de graphite revêtu de SiC MOCVD Ep...
-
Support en graphite MOCVD avec revêtement SiC CVD
-
Plateau en carbure de silicium épitaxié pour semi-conducteurs...
-
Suscepteur de revêtement en carbure de silicium CVD MOCVD
-
Revêtement SiC/Substrat/Plateau en graphite revêtu pour ...
-
Substrats/supports en graphite avec carbure de silicium...









