Epitaxie GaN à base de silicium

Image vedette de l'épitaxie GaN à base de silicium

Brève description :

Lieu d'origine :Chine

Structure cristalline :Phase FCCβ

Densité:3,21 g/cm

Dureté:2500 Vickers

Taille des grains :2~10μm

Pureté chimique :99,99995%

Capacité thermique :640J·kg-1·K-1

Température de sublimation :2700 ℃

Force de flexion :415 Mpa (RT 4 points)

Module de Young :430 Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

Dilatation thermique (CTE) :4.5 10-6K-1

Conductivité thermique :300 (W/mK)

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Détail du produit

Mots clés du produit

Description du produit

Notre société fournit des services de processus de revêtement SiC par méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules SiC de haute pureté, des molécules déposées à la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice SIC.

Principales caractéristiques :

1. Résistance à l’oxydation à haute température :

la résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température atteint 1600 C.

2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.

3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.

4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300