Epitaxie GaN à base de silicium

Brève description :


  • Lieu d'origine :Chine
  • Structure cristalline :Phase FCCβ
  • Densité:3,21 g/cm
  • Dureté:2500 Vickers
  • Taille des grains :2~10μm
  • Pureté chimique :99,99995%
  • Capacité thermique :640J·kg-1·K-1
  • Température de sublimation :2700 ℃
  • Force de flexion :415 Mpa (RT 4 points)
  • Module de Young :430 Gpa (courbure 4pt, 1300℃)
  • Dilatation thermique (CTE) :4.5 10-6K-1
  • Conductivité thermique :300 (W/mK)
  • Détail du produit

    Mots clés du produit

    Description du produit

    Notre société fournit des services de processus de revêtement SiC par méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules SiC de haute pureté, des molécules déposées à la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice SIC.

    Principales caractéristiques :

    1. Résistance à l’oxydation à haute température :

    la résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température atteint 1600 C.

    2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.

    3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.

    4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

    Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

    Propriétés SiC-CVD

    Structure cristalline Phase β du FCC
    Densité g/cm³ 3.21
    Dureté Dureté Vickers 2500
    Taille des grains µm 2~10
    Pureté chimique % 99.99995
    Capacité thermique J·kg-1 ·K-1 640
    Température de sublimation 2700
    Force de flexion MPa (RT 4 points) 415
    Module de Young Gpa (courbure 4pt, 1300℃) 430
    Expansion thermique (CTE) 10-6K-1 4.5
    Conductivité thermique (W/mK) 300

     

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