Description du produit
Notre société propose des services de revêtement SiC par la méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules de SiC de haute pureté, molécules déposées sur la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice de SiC.
Caractéristiques principales :
1. Résistance à l'oxydation à haute température :
La résistance à l'oxydation reste très bonne même à des températures atteignant 1600 °C.
2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.
3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion : acides, bases, sels et réactifs organiques.
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
| Propriétés du SiC-CVD | ||
| Structure cristalline | Phase β de la structure cubique à faces centrées (CFC) | |
| Densité | g/cm³ | 3.21 |
| Dureté | Dureté Vickers | 2500 |
| Taille des grains | μm | 2~10 |
| Pureté chimique | % | 99,99995 |
| Capacité thermique | J·kg⁻¹·K⁻¹ | 640 |
| Température de sublimation | ℃ | 2700 |
| Force flexurale | MPa (RT 4 points) | 415 |
| Module de Young | GPA (pliure à 4 points, 1300℃) | 430 |
| Dilatation thermique (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| conductivité thermique | (W/mK) | 300 |
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