Plateau épitaxial de feuille de carbure de silicium pour le four épitaxial de semi-conducteur

Plateau de feuille épitaxiale de carbure de silicium pour le four épitaxial de semi-conducteur

Brève description :

Le plateau de feuilles épitaxiales en carbure de silicium VET Energy est un produit haute performance conçu pour fournir des performances constantes et fiables sur une période prolongée. Il présente une très bonne résistance à la chaleur et une uniformité thermique, une grande pureté et une résistance à l'érosion, ce qui en fait la solution parfaite pour les applications de traitement de plaquettes.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Le plateau en feuilles de carbure de silicium est un composant clé utilisé dans divers processus de fabrication de semi-conducteurs. Nous utilisons notre technologie brevetée pour fabriquer des plateaux en feuilles de carbure de silicium avec une pureté extrêmement élevée, une bonne uniformité de revêtement et une excellente durée de vie, ainsi que des propriétés élevées de résistance chimique et de stabilité thermique.

VET Energy est le véritable fabricant de produits personnalisés en graphite et en carbure de silicium avec différents revêtements tels que SiC, Tac, carbone pyrolytique, carbone vitreux, etc., et peut fournir diverses pièces personnalisées pour l'industrie des semi-conducteurs et photovoltaïque. Notre équipe technique provient des meilleures institutions de recherche nationales et peut vous fournir des solutions matérielles plus professionnelles.

Nous développons continuellement des processus avancés pour fournir des matériaux plus avancés et avons élaboré une technologie brevetée exclusive, qui peut rendre la liaison entre le revêtement et le substrat plus serrée et moins sujette au détachement.

Caractéristiques de nos produits :

1. Résistance à l'oxydation à haute température jusqu'à 1700 ℃.
2. Haute pureté et uniformité thermique
3. Excellente résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
4. Haute dureté, surface compacte, particules fines.
5. Durée de vie plus longue et plus durable

MCV SiC薄膜基本物理性能 Propriétés physiques de base du CVD SiCrevêtement
性质 / Propriété	典型数值 / Valeur typique
晶体结构 / Structure Cristalline	Phase β du FCC多晶，主要为（111)
密度 / Densité	3,21 g/cm³
硬度 / Dureté	2 500 维氏硬度 (charge de 500 g)
晶粒大小 / TAILLE DES GRAINS	2~10μm
纯度 / Pureté chimique	99,99995%
热容 / Capacité thermique	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Température de sublimation	2700 ℃
抗弯强度 / Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
杨氏模量 / Module de Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
导热系数 / ThermesjeConductivité	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Expansion thermique (CTE)	4,5×10^-6K^-1