Plateau en carbure de silicium pour four épitaxial de semi-conducteurs

Description courte :

Le plateau en carbure de silicium épitaxié de VET Energy est un produit haute performance conçu pour offrir des performances constantes et fiables sur une longue durée. Il présente une excellente résistance à la chaleur et une uniformité thermique optimale, une grande pureté et une résistance à l'érosion, ce qui en fait la solution idéale pour les applications de traitement de plaquettes.

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Détails du produit

Étiquettes de produit

Le plateau en carbure de silicium est un composant essentiel utilisé dans divers procédés de fabrication de semi-conducteurs. Grâce à notre technologie brevetée, nous produisons des plateaux en carbure de silicium d'une pureté extrêmement élevée, présentant une excellente uniformité de revêtement, une durée de vie optimale, ainsi qu'une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.

VET Energy est un véritable fabricant de produits sur mesure en graphite et carbure de silicium, avec différents revêtements tels que SiC, Tac, carbone pyrolytique, carbone vitreux, etc. Nous fournissons diverses pièces personnalisées pour les industries des semi-conducteurs et du photovoltaïque. Notre équipe technique, issue des meilleurs instituts de recherche nationaux, vous propose des solutions de matériaux hautement spécialisées.

Nous développons en permanence des procédés avancés pour fournir des matériaux plus performants et avons mis au point une technologie brevetée exclusive qui permet de rendre la liaison entre le revêtement et le substrat plus étroite et moins sujette au détachement.

Caractéristiques de nos produits :

1. Résistance à l'oxydation à haute température jusqu'à 1700℃.
2. Pureté élevée et uniformité thermique
3. Excellente résistance à la corrosion : acides, bases, sels et réactifs organiques.
4. Dureté élevée, surface compacte, particules fines.
5. Durée de vie plus longue et plus durable

CVD SiC薄膜基本物理性能 Propriétés physiques fondamentales du SiC CVDrevêtement
性质 / Propriété	典型数值 / Valeur typique
晶体结构 / Structure cristalline	Phase β de la structure cubique à faces centrées (CFC)多晶，主要为（111)
密度 / Densité	3,21 g/cm³
硬度 / Dureté	2 500 维氏硬度 (charge de 500 g)
晶粒大小 / Taille du grain	2~10 μm
纯度 / Pureté chimique	99,99995%
热容 / Capacité thermique	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Température de sublimation	2700℃
抗弯强度 / Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
杨氏模量 Module de Young	430 Gpa flexion 4 points, 1300℃
导热系数 / ThermielConductivité	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Dilatation thermique (CTE)	4,5×10^-6K^-1