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Trois techniques majeures pour la croissance des cristaux de SiC
Comme le montre la figure 3, trois techniques principales permettent d'obtenir des monocristaux de SiC de haute qualité et à haut rendement : l'épitaxie en phase liquide (LPE), le transport physique en phase vapeur (PVT) et le dépôt chimique en phase vapeur à haute température (HTCVD). Le PVT est un procédé bien établi pour la production de monocristaux de SiC…En savoir plus -
Introduction aux semi-conducteurs GaN de troisième génération et aux technologies épitaxiales associées
1. Semi-conducteurs de troisième génération. La technologie des semi-conducteurs de première génération a été développée à partir de matériaux semi-conducteurs tels que le silicium (Si) et le germanium (Ge). Elle constitue la base matérielle du développement des transistors et de la technologie des circuits intégrés. Les matériaux semi-conducteurs de première génération ont posé les fondements…En savoir plus -
La super licorne de Suzhou, valorisée à 23,5 milliards de yuans, va entrer en bourse.
Après neuf ans d'existence, Innoscience a levé plus de 6 milliards de yuans de fonds et sa valorisation atteint le chiffre impressionnant de 23,5 milliards de yuans. Parmi ses investisseurs figurent des dizaines d'entreprises, dont Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi et Wujian.En savoir plus -
Comment les produits revêtus de carbure de tantale améliorent-ils la résistance à la corrosion des matériaux ?
Le revêtement en carbure de tantale est une technologie de traitement de surface couramment utilisée qui permet d'améliorer considérablement la résistance à la corrosion des matériaux. Ce revêtement peut être appliqué sur la surface du substrat par différentes méthodes de préparation, telles que le dépôt chimique en phase vapeur, la pulvérisation cathodique, etc.En savoir plus -
Introduction aux semi-conducteurs GaN de troisième génération et aux technologies épitaxiales associées
1. Semi-conducteurs de troisième génération. La technologie des semi-conducteurs de première génération a été développée à partir de matériaux semi-conducteurs tels que le silicium (Si) et le germanium (Ge). Elle constitue la base matérielle du développement des transistors et de la technologie des circuits intégrés. Les matériaux semi-conducteurs de première génération ont posé les fondements…En savoir plus -
Étude par simulation numérique de l'effet du graphite poreux sur la croissance des cristaux de carbure de silicium
Le processus de base de la croissance des cristaux de SiC se divise en trois étapes : la sublimation et la décomposition des matières premières à haute température, le transport des substances en phase gazeuse sous l’effet d’un gradient de température, et la recristallisation de ces substances sur le germe cristallin. À partir de là…En savoir plus -
Types de graphite spécial
Le graphite spécial est un matériau graphitique de haute pureté, haute densité et haute résistance, présentant une excellente résistance à la corrosion, une grande stabilité thermique et une conductivité électrique remarquable. Il est fabriqué à partir de graphite naturel ou artificiel après traitement thermique à haute température et mise en forme sous haute pression.En savoir plus -
Analyse des équipements de dépôt de couches minces – principes et applications des équipements PECVD/LPCVD/ALD
Le dépôt de couches minces consiste à recouvrir le substrat principal du semi-conducteur d'une couche mince. Cette couche peut être composée de divers matériaux, tels que le dioxyde de silicium (un composé isolant), le polysilicium (un semi-conducteur) ou le cuivre (un métal). L'équipement utilisé pour ce dépôt est appelé machine de dépôt de couches minces.En savoir plus -
Matériaux importants déterminant la qualité de la croissance du silicium monocristallin – champ thermique
La croissance du silicium monocristallin se déroule intégralement sous champ thermique. Un champ thermique optimal favorise la qualité des cristaux et permet une cristallisation plus efficace. La conception de ce champ thermique influence fortement les variations des gradients de température.En savoir plus
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