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Quelles sont les difficultés techniques liées au four de croissance des cristaux de carbure de silicium ?
Publié par l'administrateur le 24/06/07
Le four de croissance cristalline est l'équipement essentiel à la croissance des cristaux de carbure de silicium. Il est similaire aux fours de croissance cristalline traditionnels pour le silicium cristallin. Sa structure est relativement simple : il se compose principalement d'un corps de four, d'un système de chauffage et d'un mécanisme de transmission par bobine.
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Quels sont les défauts de la couche épitaxiale de carbure de silicium ?
Publié par l'administrateur le 24/06/05
La technologie de base pour la croissance de matériaux épitaxiaux en SiC repose en premier lieu sur le contrôle des défauts, notamment ceux susceptibles d'entraîner des défaillances ou une dégradation de la fiabilité des dispositifs. L'étude du mécanisme de propagation des défauts du substrat dans l'épitaxie...
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Technologie de croissance épitaxiale et de grain sur pied oxydé - II
Publié par l'administrateur le 24/05/30
2. Croissance de couches minces épitaxiales. Le substrat constitue une couche de support physique ou une couche conductrice pour les dispositifs de puissance en Ga₂O₃. La couche suivante, tout aussi importante, est la couche de canal ou couche épitaxiale, qui assure la résistance en tension et le transport des porteurs. Afin d'augmenter la tension de claquage et de minimiser les courants de fuite…
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Technologie de croissance monocristalline et épitaxiale de l'oxyde de gallium
Publié par l'administrateur le 24/05/30
Les semi-conducteurs à large bande interdite (WBG), tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN), suscitent un vif intérêt. On fonde de grands espoirs sur les applications potentielles du carbure de silicium dans les véhicules électriques et les réseaux électriques, ainsi que sur celles du nitrure de gallium…
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Quels sont les obstacles techniques au carbure de silicium ? II
Publié par l'administrateur le 24/05/2022
Les difficultés techniques liées à la production en série stable de plaquettes de carbure de silicium de haute qualité et aux performances constantes sont les suivantes : 1) La croissance des cristaux nécessitant un environnement scellé à haute température (supérieure à 2 000 °C), les exigences en matière de contrôle de la température sont extrêmement strictes ; 2) Le carbure de silicium…
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Quels sont les obstacles techniques au carbure de silicium ?
Publié par l'administrateur le 24/05/2022
La première génération de matériaux semi-conducteurs est représentée par le silicium (Si) et le germanium (Ge) traditionnels, qui constituent la base de la fabrication des circuits intégrés. Ils sont largement utilisés dans les transistors et les détecteurs basse tension, basse fréquence et basse consommation. Plus de 90 % de la production de semi-conducteurs…
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Comment est fabriquée la micropoudre de SiC ?
Publié par l'administrateur le 24/05/13
Le monocristal de SiC est un matériau semi-conducteur composé du groupe IV-IV, constitué de deux éléments, le silicium et le carbone, dans un rapport stœchiométrique de 1:1. Sa dureté n'est surpassée que par celle du diamant. La méthode de réduction de l'oxyde de silicium par le carbone pour préparer le SiC repose principalement sur la réaction chimique suivante…
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Comment les couches épitaxiales contribuent-elles au bon fonctionnement des dispositifs semi-conducteurs ?
Publié par l'administrateur le 24/05/13
L'origine du nom « plaquette épitaxiale » : Commençons par vulgariser un concept simple : la préparation d'une plaquette comprend deux étapes principales : la préparation du substrat et le procédé épitaxial. Le substrat est une plaquette constituée d'un monocristal semi-conducteur. Il peut être directement intégré au processus de fabrication de la plaquette…
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Introduction à la technologie de dépôt de couches minces par dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
Publié par l'administrateur le 24/05/06
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une importante technologie de dépôt de couches minces, souvent utilisée pour préparer divers films fonctionnels et matériaux en couches minces, et largement employée dans la fabrication de semi-conducteurs et d'autres domaines. 1. Principe de fonctionnement du CVD Dans le procédé CVD, un précurseur gazeux (un ou plusieurs gaz précurseurs) est utilisé…
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