Pièce demi-lune en graphite enduit de SiCis a clécomposant utilisé dans les procédés de fabrication de semi-conducteurs, notamment pour les équipements épitaxiaux SiC.Nous utilisons notre technologie brevetée pour réaliser la partie demi-lune avecune pureté extrêmement élevée,bienrevêtementuniformitéet une excellente durée de vie, ainsi quepropriétés élevées de résistance chimique et de stabilité thermique.
L'énergie de l'EFP est levéritable fabricant de produits personnalisés en graphite et en carbure de silicium avec revêtement CVD,peut fournirdiverspièces sur mesure pour l'industrie des semi-conducteurs et photovoltaïque. ONotre équipe technique provient des meilleures institutions de recherche nationales et peut fournir des solutions matérielles plus professionnelles.pour toi.
Nous développons continuellement des processus avancés pour fournir des matériaux plus avancés,etont développé une technologie brevetée exclusive, qui peut rendre la liaison entre le revêtement et le substrat plus serrée et moins sujette au détachement.
FCaractéristiques de nos produits :
1. Résistance à l'oxydation à haute température jusqu'à 1700℃.
2. Haute pureté etuniformité thermique
3. Excellente résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
4. Haute dureté, surface compacte, particules fines.
5. Durée de vie plus longue et plus durable
| MCV SiC薄膜基本物理性能 Propriétés physiques de base du CVD SiCrevêtement | |
| 性质 / Propriété | 典型数值 / Valeur typique |
| 晶体结构 / Structure Cristalline | Phase β du FCC多晶，主要为（111) |
| 密度 / Densité | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureté | 2500 维氏硬度 (charge de 500 g) |
| 晶粒大小 / TAILLE DES GRAINS | 2~10μm |
| 纯度 / Pureté chimique | 99,99995% |
| 热容 / Capacité thermique | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Température de sublimation | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Résistance à la flexion | 415 MPa RT 4 points |
| 杨氏模量 / Module de Young | Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermesjeConductivité | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Expansion thermique (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Bienvenue chaleureusement à visiter notre usine, discutons-en davantage !
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