La gamme de produits de VET Energy ne se limite pas au GaN sur des plaquettes SiC. Nous fournissons également une large gamme de matériaux de substrat semi-conducteur, notamment Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. En outre, nous développons également activement de nouveaux matériaux semi-conducteurs à large bande interdite, tels que l'oxyde de gallium Ga2O3 et l'AlN. Wafer, pour répondre à la demande future de l'industrie de l'électronique de puissance en dispositifs plus performants.
VET Energy fournit des services de personnalisation flexibles et peut personnaliser des couches épitaxiales GaN de différentes épaisseurs, différents types de dopage et différentes tailles de tranches en fonction des besoins spécifiques des clients. De plus, nous fournissons également une assistance technique professionnelle et un service après-vente pour aider les clients à développer rapidement des appareils électroniques de puissance hautes performances.
SPÉCIFICATIONS DES PLAQUETTES
*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant
Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arc (GF3YFCD)-Valeur absolue | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Chaîne (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Bord de la plaquette | Biseautage |
FINITION DE SURFACE
*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant
Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Finition de surface | Polissage optique double face, Si- Face CMP | ||||
Rugosité de surface | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Puces de bord | Aucun autorisé (longueur et largeur≥0,5 mm) | ||||
Retraits | Aucun permis | ||||
Rayures (Si-Face) | Quantité ≤5, cumulatif | Quantité ≤5, cumulatif | Quantité ≤5, cumulatif | ||
Fissures | Aucun permis | ||||
Exclusion de bord | 3mm |