GaN 4 pouces sur plaquette SiC

Brève description :

La plaquette GaN sur SiC de 4 pouces de VET Energy est un produit révolutionnaire dans le domaine de l'électronique de puissance. Cette plaquette combine l'excellente conductivité thermique du carbure de silicium (SiC) avec la densité de puissance élevée et la faible perte de nitrure de gallium (GaN), ce qui en fait un choix idéal pour fabriquer des dispositifs haute fréquence et haute puissance. VET Energy garantit les excellentes performances et la cohérence de la plaquette grâce à la technologie épitaxiale MOCVD avancée.


Détail du produit

Mots clés du produit

La gamme de produits de VET Energy ne se limite pas au GaN sur des plaquettes SiC. Nous fournissons également une large gamme de matériaux de substrat semi-conducteur, notamment Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. En outre, nous développons également activement de nouveaux matériaux semi-conducteurs à large bande interdite, tels que l'oxyde de gallium Ga2O3 et l'AlN. Wafer, pour répondre à la demande future de l'industrie de l'électronique de puissance en dispositifs plus performants.

VET Energy fournit des services de personnalisation flexibles et peut personnaliser des couches épitaxiales GaN de différentes épaisseurs, différents types de dopage et différentes tailles de tranches en fonction des besoins spécifiques des clients. De plus, nous fournissons également une assistance technique professionnelle et un service après-vente pour aider les clients à développer rapidement des appareils électroniques de puissance hautes performances.

6h-36
6h-35

SPÉCIFICATIONS DES PLAQUETTES

*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant

Article

8 pouces

6 pouces

4 pouces

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arc (GF3YFCD)-Valeur absolue

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Chaîne(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Bord de la plaquette

Biseautage

FINITION DE SURFACE

*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant

Article

8 pouces

6 pouces

4 pouces

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Finition de surface

Polissage optique double face, Si- Face CMP

Rugosité de surface

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
Face C Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
Face C Ra≤0,5 nm

Puces de bord

Aucun autorisé (longueur et largeur≥0,5 mm)

Retraits

Aucun permis

Rayures (Si-Face)

Quantité ≤5, cumulatif
Longueur≤0,5×diamètre de la plaquette

Quantité ≤5, cumulatif
Longueur≤0,5×diamètre de la plaquette

Quantité ≤5, cumulatif
Longueur≤0,5×diamètre de la plaquette

Fissures

Aucun permis

Exclusion de bord

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Précédent:
  • Suivant:

  • Chat en ligne WhatsApp !