GaN auf Siliziumwafer für HF

VET Energy GaN auf Siliziumwafer ist eine hochmoderne Halbleiterlösung, die speziell für Hochfrequenzanwendungen (RF) entwickelt wurde. Durch das epitaktische Wachstum von hochwertigem Galliumnitrid (GaN) auf einem Siliziumsubstrat liefert VET Energy eine kostengünstige und leistungsstarke Plattform für eine breite Palette von HF-Geräten.

Dieser GaN-auf-Silizium-Wafer ist mit anderen Materialien wie Si-Wafern, SiC-Substraten, SOI-Wafern und SiN-Substraten kompatibel und erweitert so seine Vielseitigkeit für verschiedene Herstellungsprozesse. Darüber hinaus ist es für die Verwendung mit Epi-Wafern und fortschrittlichen Materialien wie Galliumoxid Ga2O3 und AlN-Wafern optimiert, was seine Anwendungen in der Hochleistungselektronik weiter verbessert. Die Wafer sind für die nahtlose Integration in Fertigungssysteme konzipiert und nutzen die standardmäßige Kassettenhandhabung für eine einfache Handhabung und eine höhere Produktionseffizienz.

VET Energy bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleitersubstraten, darunter Si-Wafer, SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat, Epi-Wafer, Galliumoxid-Ga2O3 und AlN-Wafer. Unsere vielfältige Produktlinie deckt die Anforderungen verschiedener elektronischer Anwendungen ab, von der Leistungselektronik bis hin zu HF- und Optoelektronik.

GaN auf Siliziumwafer bietet mehrere Vorteile für HF-Anwendungen:

       • Hochfrequenzleistung:Die große Bandlücke und die hohe Elektronenmobilität von GaN ermöglichen einen Hochfrequenzbetrieb und machen es ideal für 5G und andere Hochgeschwindigkeitskommunikationssysteme.
     • Hohe Leistungsdichte:GaN-Geräte können im Vergleich zu herkömmlichen Geräten auf Siliziumbasis höhere Leistungsdichten verarbeiten, was zu kompakteren und effizienteren HF-Systemen führt.
       • Geringer Stromverbrauch:GaN-Geräte weisen einen geringeren Stromverbrauch auf, was zu einer verbesserten Energieeffizienz und einer geringeren Wärmeableitung führt.

Anwendungen:

       • 5G-Funkkommunikation:GaN auf Siliziumwafern sind für den Aufbau leistungsstarker 5G-Basisstationen und mobiler Geräte unerlässlich.
     • Radarsysteme:GaN-basierte HF-Verstärker werden aufgrund ihrer hohen Effizienz und großen Bandbreite in Radarsystemen eingesetzt.
   • Satellitenkommunikation:GaN-Geräte ermöglichen Hochleistungs- und Hochfrequenz-Satellitenkommunikationssysteme.
     • Militärelektronik:GaN-basierte HF-Komponenten werden in militärischen Anwendungen wie elektronischer Kriegsführung und Radarsystemen eingesetzt.

VET Energy bietet anpassbare GaN-auf-Silizium-Wafer an, um Ihre spezifischen Anforderungen zu erfüllen, einschließlich verschiedener Dotierungsgrade, Dicken und Wafergrößen. Unser Expertenteam bietet technischen Support und Kundendienst, um Ihren Erfolg sicherzustellen.