6 Zoll halbisolierender SiC-Wafer

Kurzbeschreibung:

Der halbisolierende 6-Zoll-Wafer aus Siliziumkarbid (SiC) von VET Energy ist ein hochwertiges Substrat, das sich ideal für eine Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen eignet. VET Energy nutzt fortschrittliche Wachstumstechniken, um SiC-Wafer mit außergewöhnlicher Kristallqualität, geringer Defektdichte und hohem spezifischem Widerstand herzustellen.


Produktdetails

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Der halbisolierende 6-Zoll-SiC-Wafer von VET Energy ist eine fortschrittliche Lösung für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen und bietet hervorragende Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolierung. Diese halbisolierenden Wafer sind für die Entwicklung von Geräten wie HF-Verstärkern, Leistungsschaltern und anderen Hochspannungskomponenten unerlässlich. VET Energy gewährleistet eine gleichbleibende Qualität und Leistung und macht diese Wafer ideal für eine Vielzahl von Halbleiterfertigungsprozessen.

Zusätzlich zu ihren hervorragenden Isoliereigenschaften sind diese SiC-Wafer mit einer Vielzahl von Materialien kompatibel, darunter Si-Wafer, SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat und Epi-Wafer, wodurch sie für verschiedene Arten von Herstellungsprozessen vielseitig einsetzbar sind. Darüber hinaus können fortschrittliche Materialien wie Galliumoxid Ga2O3 und AlN-Wafer in Kombination mit diesen SiC-Wafern verwendet werden, was eine noch größere Flexibilität in elektronischen Hochleistungsgeräten bietet. Die Wafer sind für die nahtlose Integration in branchenübliche Handhabungssysteme wie Kassettensysteme konzipiert und gewährleisten so eine einfache Verwendung in Massenproduktionsumgebungen.

VET Energy bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleitersubstraten, darunter Si-Wafer, SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat, Epi-Wafer, Galliumoxid-Ga2O3 und AlN-Wafer. Unsere vielfältige Produktlinie deckt die Anforderungen verschiedener elektronischer Anwendungen ab, von der Leistungselektronik bis hin zu HF- und Optoelektronik.

Der halbisolierende 6-Zoll-SiC-Wafer bietet mehrere Vorteile:
Hohe Durchbruchspannung: Die große Bandlücke von SiC ermöglicht höhere Durchbruchspannungen und ermöglicht so kompaktere und effizientere Leistungsgeräte.
Hochtemperaturbetrieb: Die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von SiC ermöglicht den Betrieb bei höheren Temperaturen und verbessert so die Gerätezuverlässigkeit.
Niedriger Einschaltwiderstand: SiC-Geräte weisen einen geringeren Einschaltwiderstand auf, wodurch Leistungsverluste reduziert und die Energieeffizienz verbessert werden.

VET Energy bietet individuell anpassbare SiC-Wafer an, die Ihren spezifischen Anforderungen gerecht werden, einschließlich unterschiedlicher Dicken, Dotierungsniveaus und Oberflächenveredelungen. Unser Expertenteam bietet technischen Support und Kundendienst, um Ihren Erfolg sicherzustellen.

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WAFERING-SPEZIFIKATIONEN

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD) – Absoluter Wert

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Waferkante

Abschrägung

OBERFLÄCHENVERARBEITUNG

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oberflächenbeschaffenheit

Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP

Oberflächenrauheit

(10 um x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm
C-Fläche Ra≤ 0,5 nm

(5 um x 5 um) Si-Oberfläche Ra≤0,2 nm
C-Fläche Ra≤0,5 nm

Kantensplitter

Nicht zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm)

Einrückungen

Nichts erlaubt

Kratzer (Si-Face)

Menge ≤ 5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤ 5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤ 5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Risse

Nichts erlaubt

Kantenausschluss

3mm

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