Die Anforderungen der Halbleiterindustrie an Graphitmaterialien sind besonders hoch. Graphit mit feiner Partikelgröße bietet Vorteile wie hohe Präzision, hohe Temperaturbeständigkeit, hohe Festigkeit, geringe Verluste und vieles mehr, beispielsweise bei der Herstellung von Formen für Sintergraphitprodukte.Da die in der Halbleiterindustrie eingesetzten Graphitgeräte (einschließlich Heizelemente und deren Sinterchips) wiederholten Heiz- und Kühlprozessen standhalten müssen, ist es zur Verlängerung der Lebensdauer der Graphitgeräte üblicherweise erforderlich, dass die verwendeten Graphitmaterialien eine stabile Leistung und eine hohe Hitzebeständigkeit aufweisen.
01 Graphitzubehör für das Wachstum von Halbleiterkristallen
Alle Prozesse zur Züchtung von Halbleiterkristallen finden unter hohen Temperaturen und in korrosiver Umgebung statt. Die Heizzone des Kristallzuchtofens ist üblicherweise mit hitze- und korrosionsbeständigen, hochreinen Graphitkomponenten ausgestattet, wie z. B. Heizelement, Tiegel, Isolierzylinder, Führungszylinder, Elektrode, Tiegelhalter, Elektrodenmutter usw.
Wir fertigen sämtliche Graphitteile für Kristallproduktionsanlagen, die einzeln, als Sets oder in kundenspezifischen Größen nach Kundenwunsch geliefert werden können. Die Produktabmessungen können vor Ort angepasst werden, und der Aschegehalt der Fertigprodukte ist gering.als 5 ppm.
02 Graphitzubehör für die Halbleiterepitaxie
Das Epitaxieverfahren bezeichnet das Aufwachsen einer Schicht aus einkristallinem Material mit der gleichen Gitterstruktur wie das Substrat auf einem einkristallinen Substrat. Dabei wird der Wafer auf eine Graphitscheibe aufgebracht. Die Eigenschaften und die Qualität der Graphitscheibe sind entscheidend für die Qualität der Epitaxieschicht auf dem Wafer. Für die Epitaxieproduktion werden große Mengen an hochreinem Graphit und hochreinem Graphit mit SiC-Beschichtung benötigt.
Die Graphitbasis unseres Unternehmens für die Halbleiterepitaxie hat ein breites Anwendungsspektrum, ist mit den meisten gängigen Anlagen der Industrie kompatibel und zeichnet sich durch hohe Reinheit, gleichmäßige Beschichtung, ausgezeichnete Lebensdauer sowie hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität aus.
03 Graphitzubehör für die Ionenimplantation
Die Ionenimplantation bezeichnet das Verfahren, bei dem ein Plasmastrahl aus Bor, Phosphor und Arsen auf eine bestimmte Energie beschleunigt und anschließend in die Oberflächenschicht eines Wafermaterials injiziert wird, um deren Materialeigenschaften zu verändern. Die Komponenten der Ionenimplantationsanlage müssen aus hochreinen Materialien mit ausgezeichneter Hitzebeständigkeit und Wärmeleitfähigkeit sowie geringer Korrosionsbeständigkeit gegenüber dem Ionenstrahl und niedrigem Verunreinigungsgrad gefertigt sein. Hochreiner Graphit erfüllt diese Anforderungen und kann für Flugrohre, verschiedene Schlitze, Elektroden, Elektrodenabdeckungen, Leitungen, Strahlstopper usw. der Ionenimplantationsanlage verwendet werden.
Wir bieten nicht nur Graphit-Abschirmungen für diverse Ionenimplantationsanlagen, sondern auch hochreine Graphitelektroden und Ionenquellen mit hoher Korrosionsbeständigkeit in verschiedenen Ausführungen. Geeignete Modelle: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM und weitere. Zusätzlich liefern wir passende Produkte aus Keramik, Wolfram, Molybdän und Aluminium sowie beschichtete Teile.
04 Graphit-Dämmstoffe und andere
Zu den in Halbleiterproduktionsanlagen verwendeten Wärmedämmstoffen gehören Graphit-Hartfilz, Graphit-Weichfilz, Graphitfolie, Graphitpapier und Graphitseil.
Alle unsere Rohstoffe sind importierter Graphit, der nach den spezifischen Größenanforderungen des Kunden zugeschnitten oder als Ganzes verkauft werden kann.
Die Kohlenstoff-Kohlenstoff-Schale dient als Träger für die Filmbeschichtung im Produktionsprozess von monokristallinen und polykristallinen Silizium-Solarzellen. Das Funktionsprinzip ist folgendes: Der Siliziumchip wird in die Kohlenstoff-Kohlenstoff-Schale eingelegt und anschließend zur Filmbeschichtung in das Ofenrohr transportiert.
