ANWENDUNGSGEBIET


Produktanwendung und Leistung Produktanwendungen und Verwendungszwecke
Silizium-Einkristallindustrie, GaN-, AlN-, Saphir- und andere MOCVD-Sockel. – Graphit-Basisbeschichtung für das epitaktische Wachstum von Silizium-Einkristallen.
Hauptmerkmale: hohe Reinheit, Erosionsbeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, - MOCVD-Verfahren, Graphit-Basisbeschichtung für das epitaktische Wachstum von GaN
hohe Temperaturbeständigkeit, niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient.
| Wärmeleitfähigkeit | 250 W/m °K | Laserblitzmethode, RT |
| Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5 x 10-6°K | Raumtemperatur bis 950 °C, Quarz-Dilatometer |
| Eigentum | Wert | Verfahren |
| Dichte | 3,21 g/cm³ | Sinken-Schwimmen und Dimension |
| Spezifische Wärmekapazität | 0,66 J/g °K | gepulster Laserblitz |
| Biegefestigkeit | 450 MPa 560 MPa | 4-Punkt-Biegung, RT4-Punkt-Biegung, 1300° |
| Bruchzähigkeit | 2,94 MPa m1/2 | Mikroindentation |
| Härte | 2800 | Vickers, 500 g Ladung |
| Elastizitätsmodul Young-Modul | 450 GPa 430 GPa | 4-Punkt-Biegung, RT4-Punkt-Biegung, 1300 °C |
| Körnung | 2 - 10 µm | SEM |

Reinheit, SEM-Struktur, Dickenanalyse vonSiC-Beschichtung
Die Reinheit der mittels CVD auf Graphit aufgebrachten SiC-Beschichtungen beträgt bis zu 99,9995 %. Ihre Struktur ist kubisch-flächenzentriert (fcc). Die auf Graphit abgeschiedenen SiC-Filme sind, wie die XRD-Daten (Abb. 1) zeigen, (111)-orientiert, was auf ihre hohe Kristallinität hinweist. Die Dicke des SiC-Films ist, wie in Abb. 2 dargestellt, sehr gleichmäßig.
Abb. 2: Gleichmäßige Dicke der SiC-Filme
Die Kristallstruktur des CVD-SiC-Films ist eine flächenzentrierte kubische Struktur, und die Wachstumsrichtung des Films liegt nahe bei 100 %. SEM- und XRD-Analysen von Beta-SiC-Filmen auf Graphit
Einkristall-Silizium-Epitaxialbasis
Produktleistung und Anwendungsmöglichkeiten.
Siliziumkarbid (SiC)-beschichtetDie Basis ist die optimale Grundlage für die Epitaxie von einkristallinem Silizium und GaN und bildet das Kernstück des Epitaxieofens. Sie ist ein wichtiges Produktionszubehör für monokristallines Silizium in großen integrierten Schaltungen. Sie zeichnet sich durch hohe Reinheit, hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, gute Luftdichtheit und weitere hervorragende Materialeigenschaften aus.
Produktanwendung und -nutzung
Graphitbasierte Beschichtung für das epitaktische Wachstum von einkristallinem Silizium. Geeignet für Aixtron-Maschinen usw. Beschichtungsdicke: 90–150 µm. Der Durchmesser des Waferkraters beträgt 55 mm.
Solare Photovoltaik
GAupidpelitcubaetiaonnd
Graphittiegelbeschichtungfür einkristallines Silizium mittels gerader Zugmethode
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Professionelle Ausrüstung und Team
Reinraumwerkstatt der Klasse 1000
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