Mit Siliziumkarbid beschichtetes Graphitsubstrat für Halbleiter, MOCVD-Suszeptor

Kurzbeschreibung:

Der SiC-beschichtete Suszeptor von VET Energy ist ein Hochleistungsprodukt, das für eine konstante und zuverlässige Leistung über einen längeren Zeitraum ausgelegt ist. Es zeichnet sich durch eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit sowie eine hohe Reinheit und Erosionsbeständigkeit aus und ist damit die perfekte Lösung für Waferverarbeitungsanwendungen.

Herkunftsort:Zhejiang, China (Festland)

Modellnummer:Modellnummer:

Chemische Zusammensetzung:SiC-beschichteter Graphit

Biegefestigkeit:470 MPa

Wärmeleitfähigkeit:300 W/mK

Qualität:Perfekt

Funktion:CVD-SiC

Anwendung:Halbleiter/Photovoltaik

Dichte:3,21 g/cm³

Wärmeausdehnung:4 10-6/K

Asche: <5ppm

Probe:Verfügbar

HS-Code:6903100000

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Produktdetails

Produkt-Tags

VET Energy SiC-beschichteter Suszeptorist eine Hochleistungslösung, die sorgfältig entwickelt wurde, um über eine längere Lebensdauer hinweg zuverlässige, konstante Leistung zu liefern und den strengen Anforderungen der Halbleiterfertigung gerecht zu werden. Dieses Produkt zeichnet sich durch außergewöhnliche Hitzebeständigkeit, hervorragende thermische Gleichmäßigkeit und hohe Reinheit aus und eignet sich ideal für MOCVD-Waferträger und andere Waferverarbeitungsanwendungen, die Stabilität und Präzision erfordern. Seine robuste Erosionsbeständigkeit macht es zu einer erstklassigen Wahl für Umgebungen, in denen Haltbarkeit und chemische Beständigkeit von entscheidender Bedeutung sind.

UnserSiC-beschichteter Graphit-Suszeptorstellt eine entscheidende Komponente im Halbleiterherstellungsprozess dar und nutzt die exklusive patentierte Technologie von VET Energy, um extrem hohe Reinheit, hervorragende Beschichtungsgleichmäßigkeit und bemerkenswerte thermische Stabilität zu erreichen. Die Beschichtung verleiht dem Graphitsubstrat eine hohe chemische Beständigkeit und eine deutlich längere Lebensdauer. Das Engagement von VET Energy für Qualität hat zu einem SiC-beschichteten Suszeptor geführt, der den sich entwickelnden Anforderungen des Graphit-Wafer-Trägermarktes gerecht wird und einen hohen Standard für SiC-beschichtete Graphit-Suszeptoren setztMOCVD-Prozesse.

Hauptmerkmale von SiC-beschichteten Suszeptoren:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:Hält Temperaturen von bis zu 1700℃ stand und ist daher für extreme Verarbeitungsbedingungen geeignet.

2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit:Sorgt für konsistente Ergebnisse, wichtig fürMOCVD-Suszeptorenund andere Präzisionsanwendungen.

3. Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit:Beständig gegenüber Säuren, Laugen, Salz und verschiedenen organischen Reagenzien.

4. Verbesserte Oberflächenhärte:Kompakte Oberfläche mit feinen Partikeln, die für höhere Haltbarkeit und Langlebigkeit sorgen.

5. Erweiterte Lebensdauer:Entwickelt für dauerhafte Leistung und übertrifft standardmäßig mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptoren in rauen Verarbeitungsumgebungen.

Als führender Hersteller ist VET Energy auf maßgeschneiderte Graphit- und Graphitprodukte spezialisiertSiliziumkarbid-Produktemit verschiedenen Beschichtungsmöglichkeiten, darunterSiC-Beschichtung, TaC-Beschichtung, glasartige Kohlenstoffbeschichtungund pyrolytischer Kohlenstoffbeschichtung. Wir beliefern mit Stolz die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie und liefern mit Siliziumkarbid beschichtete Graphitsuszeptoren, die spezifische betriebliche Anforderungen erfüllen.

Unser technisches Team verfügt über Erfahrungen aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und widmet sich der Weiterentwicklung von Materiallösungen für die sich entwickelnden Anforderungen derSiC-beschichteter GraphitsuszeptorMarkt. Durch unser patentiertes Verfahren hat VET Energy eine einzigartige Technologie entwickelt, die die Haftfestigkeit zwischen der Siliziumkarbidbeschichtung und dem Substrat erheblich verbessert, das Risiko einer Ablösung verringert und die langfristige Zuverlässigkeit erhöht.

Anwendungen und Vorteile in der Halbleiterverarbeitung

DerSiC-Beschichtung für MOCVDermöglichtGraphitsuszeptorKomponenten, um die Integrität unter Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen aufrechtzuerhalten, was für die Präzisionshalbleiterproduktion von entscheidender Bedeutung ist. Diese SiC-beschichteten Graphitkomponenten werden besonders in Prozessen geschätzt, für die Siliziumkarbid-beschichtete Suszeptoren erforderlich sindGraphit-Wafer-Träger, die eine hohe thermische Stabilität, Reinheit und Beständigkeit gegen chemische Erosion erfordern.

Mit unseren fortschrittlichen Siliziumkarbid-Beschichtungstechniken unterstützt VET Energy weiterhin den Markt für Graphit-Waferträger durch die Bereitstellung maßgeschneiderter, leistungsstarker ProdukteSiC-beschichtete Graphitsuszeptorendie branchenspezifische Herausforderungen adressieren, von MOCVD-Prozessen bis hin zu hochreinen Anwendungen im Halbleiterbereich.