12-Zoll-Siliziumwafer für die Halbleiterfertigung

Kurzbeschreibung:

12-Zoll-Siliziumwafer von VET Energy sind die wichtigsten Grundmaterialien der Halbleiterfertigungsindustrie. VET Energy nutzt die fortschrittliche CZ-Wachstumstechnologie, um sicherzustellen, dass die Wafer eine ausgezeichnete Kristallqualität, eine geringe Defektdichte und eine hohe Gleichmäßigkeit aufweisen und so ein solides und zuverlässiges Substrat für Ihre Halbleiterbauelemente bieten.


Produktdetails

Produkt-Tags

Der von VET Energy angebotene 12-Zoll-Siliziumwafer für die Halbleiterfertigung ist so konstruiert, dass er den genauen Standards entspricht, die in der Halbleiterindustrie erforderlich sind. Als eines der führenden Produkte in unserem Sortiment stellt VET Energy sicher, dass diese Wafer mit exakter Ebenheit, Reinheit und Oberflächenqualität hergestellt werden, was sie ideal für modernste Halbleiteranwendungen, einschließlich Mikrochips, Sensoren und fortschrittliche elektronische Geräte, macht.

Dieser Wafer ist mit einer Vielzahl von Materialien wie Si-Wafern, SiC-Substraten, SOI-Wafern, SiN-Substraten und Epi-Wafern kompatibel und bietet eine hervorragende Vielseitigkeit für verschiedene Herstellungsprozesse. Darüber hinaus lässt es sich gut mit fortschrittlichen Technologien wie Galliumoxid-Ga2O3 und AlN-Wafern kombinieren und stellt so sicher, dass es in hochspezialisierte Anwendungen integriert werden kann. Für einen reibungslosen Betrieb ist der Wafer für den Einsatz mit branchenüblichen Kassettensystemen optimiert und sorgt so für eine effiziente Handhabung in der Halbleiterfertigung.

Die Produktpalette von VET Energy ist nicht auf Siliziumwafer beschränkt. Wir bieten auch eine breite Palette von Halbleitersubstratmaterialien an, darunter SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat, Epi-Wafer usw. sowie neue Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke wie Galliumoxid Ga2O3 und AlN-Wafer. Diese Produkte können die Anwendungsanforderungen verschiedener Kunden in den Bereichen Leistungselektronik, Hochfrequenz, Sensoren und anderen Bereichen erfüllen.

Anwendungsgebiete:
Logikchips:Herstellung von Hochleistungs-Logikchips wie CPU und GPU.
Speicherchips:Herstellung von Speicherchips wie DRAM und NAND Flash.
Analoge Chips:Herstellung von analogen Chips wie ADC und DAC.
Sensoren:MEMS-Sensoren, Bildsensoren usw.

VET Energy bietet seinen Kunden maßgeschneiderte Waferlösungen und kann Wafer mit unterschiedlichem spezifischem Widerstand, unterschiedlichem Sauerstoffgehalt, unterschiedlicher Dicke und anderen Spezifikationen entsprechend den spezifischen Bedürfnissen der Kunden anpassen. Darüber hinaus bieten wir professionellen technischen Support und Kundendienst, um Kunden bei der Optimierung von Produktionsprozessen und der Verbesserung der Produktausbeute zu unterstützen.

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WAFERING-SPEZIFIKATIONEN

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD) – Absoluter Wert

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Waferkante

Abschrägung

OBERFLÄCHENVERARBEITUNG

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oberflächenbeschaffenheit

Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP

Oberflächenrauheit

(10 um x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm
C-Fläche Ra≤ 0,5 nm

(5 um x 5 um) Si-Oberfläche Ra≤0,2 nm
C-Fläche Ra≤0,5 nm

Kantensplitter

Nicht zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm)

Einrückungen

Nichts erlaubt

Kratzer (Si-Face)

Menge ≤ 5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤ 5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤ 5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Risse

Nichts erlaubt

Kantenausschluss

3mm

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