Partie demi-lune en graphite revêtue de SiCIl s'agit d'un composant essentiel utilisé dans les procédés de fabrication des semi-conducteurs, notamment pour les équipements d'épitaxie SiC. Sa conception structurelle et ses propriétés matérielles déterminent directement la qualité et l'efficacité de production des plaquettes épitaxiales.
Construction de la chambre de réaction :
La partie en demi-lune est composée de deux parties, les parties supérieure et inférieure, qui sont repliées ensemble pour former une chambre de croissance fermée, qui accueille le substrat en carbure de silicium (généralement 4H-SiC ou 6H-SiC) et réalise la croissance de la couche épitaxiale en contrôlant précisément le champ d'écoulement du gaz (tel qu'un mélange de SiH₄, C₃H₈ et H₂).
Régulation du champ de température :
La base en graphite de haute pureté, associée à la bobine de chauffage par induction, permet de maintenir l'uniformité de la température de la chambre (à ±5°C près) à une température élevée de 1500-1700°C afin de garantir la constance de l'épaisseur de la couche épitaxiale.
Guidage du flux d'air :
En concevant la position de l'entrée et de la sortie d'air (comme l'entrée d'air latérale et la sortie d'air supérieure du corps du four horizontal), le flux laminaire du gaz de réaction est guidé à travers la surface du substrat pour réduire les défauts de croissance causés par la turbulence.
Matériau de base : graphite de haute pureté
Exigences de pureté :teneur en carbone ≥99,99%, teneur en cendres ≤5ppm, afin de garantir qu'aucune impureté ne précipite et ne contamine la couche épitaxiale à haute température.
Avantages en matière de performance :
Conductivité thermique élevée :La conductivité thermique à température ambiante atteint 150 W/(m・K), ce qui est proche du niveau du cuivre et permet un transfert de chaleur rapide.
Faible coefficient de dilatation :5×10-6/℃ (25-1000℃), correspondant au substrat en carbure de silicium (4,2×10-6/℃), réduisant la fissuration du revêtement causée par les contraintes thermiques.
Précision du traitement :Une tolérance dimensionnelle de ±0,05 mm est obtenue grâce à l'usinage CNC afin de garantir l'étanchéité de la chambre.
Applications différenciées du SiC CVD et du TaC CVD
| Revêtement | Processus | Comparaison | Application typique |
| CVD-SiC | Température : 1000-1200℃ Pression : 10-100 Torr | Dureté HV2500, épaisseur 50-100 µm, excellente résistance à l'oxydation (stable en dessous de 1600 °C) | Fours épitaxiaux universels, adaptés aux atmosphères conventionnelles telles que l'hydrogène et le silane |
| CVD-TaC | Température : 1600-1800℃ Pression : 1-10 Torr | Dureté HV3000, épaisseur 20-50 µm, extrêmement résistant à la corrosion (peut résister aux gaz corrosifs tels que HCl, NH₃, etc.) | Environnements hautement corrosifs (tels que les équipements d'épitaxie et de gravure du GaN), ou procédés spéciaux nécessitant des températures ultra-élevées de 2600 °C |
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