Pièces seconde moitié - Pièces d'équipement épitaxial SiC

Brève description :

Présentation et utilisation du produit : tube de quartz connecté, peut laisser passer du gaz pour entraîner la rotation de la base du plateau, contrôle de la température

Emplacement du produit : dans la chambre de réaction, pas en contact direct avec la plaquette

Principaux produits en aval : appareils électriques

Marché terminal principal : véhicules à énergies nouvelles


Détail du produit

Mots clés du produit

SZDFGZDFC
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FDVSDCVXCV
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Pièce demi-lune en graphite enduit de SiCis a clécomposant utilisé dans les procédés de fabrication de semi-conducteurs, notamment pour les équipements épitaxiaux SiC.Nous utilisons notre technologie brevetée pour réaliser la partie demi-lune avecune pureté extrêmement élevée,bienrevêtementuniformitéet une excellente durée de vie, ainsi quepropriétés élevées de résistance chimique et de stabilité thermique.

L'énergie de l'EFP est levéritable fabricant de produits personnalisés en graphite et en carbure de silicium avec revêtement CVD,peut fournirdiverspièces sur mesure pour l'industrie des semi-conducteurs et photovoltaïque. ONotre équipe technique provient des meilleures institutions de recherche nationales et peut fournir des solutions matérielles plus professionnelles.pour toi.

Nous développons continuellement des processus avancés pour fournir des matériaux plus avancés,etont développé une technologie brevetée exclusive, qui peut rendre la liaison entre le revêtement et le substrat plus serrée et moins sujette au détachement.

FCaractéristiques de nos produits :

1. Résistance à l'oxydation à haute température jusqu'à 1700.
2. Haute pureté etuniformité thermique
3. Excellente résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
4. Haute dureté, surface compacte, particules fines.
5. Durée de vie plus longue et plus durable

MCV SiC薄膜基本物理性能

Propriétés physiques de base du CVD SiCrevêtement

性质 / Propriété

典型数值 / Valeur typique

晶体结构 / Structure Cristalline

Phase β du FCC多晶,主要为(111)

密度 / Densité

3,21 g/cm³

硬度 / Dureté

2 500 维氏硬度 (charge de 500 g)

晶粒大小 / TAILLE DES GRAINS

2~10μm

纯度 / Pureté chimique

99,99995%

热容 / Capacité thermique

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Température de sublimation

2700 ℃

抗弯强度 / Résistance à la flexion

415 MPa RT 4 points

杨氏模量 / Module de Young

Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃

导热系数 / ThermesjeConductivité

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Expansion thermique (CTE)

4,5×10-6K-1

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Bienvenue chaleureusement à visiter notre usine, discutons-en davantage !

研发团队

 

生产设备

 

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