Plateau de support en carbure de siliciumis a clécomposant utilisé dans divers procédés de fabrication de semi-conducteurs.Nous utilisons notre technologie brevetée pour fabriquer le support en carbure de silicium avecpureté extrêmement élevée,bienrevêtementuniformitéet une excellente durée de vie, ainsi quepropriétés de résistance chimique et de stabilité thermique élevées.
VET Energy est levéritable fabricant de produits personnalisés en graphite et carbure de silicium avec revêtement CVD,peut fournirdiverspièces personnalisées pour l'industrie des semi-conducteurs et du photovoltaïque. ONotre équipe technique est issue des meilleures institutions de recherche nationales et peut fournir des solutions matérielles plus professionnelles.pour toi.
Nous développons continuellement des procédés avancés pour fournir des matériaux plus avancés,etont mis au point une technologie brevetée exclusive, qui permet de rendre la liaison entre le revêtement et le substrat plus étroite et moins sujette au détachement.
Fcaractéristiques de nos produits :
1. Résistance à l'oxydation à haute température jusqu'à 1700°C.
2. Haute pureté etuniformité thermique
3. Excellente résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
4. Dureté élevée, surface compacte, particules fines.
5. Durée de vie plus longue et plus durable
| maladies cardiovasculaires SiC薄膜基本物理性能 Propriétés physiques de base du SiC CVDrevêtement | |
| 性质 / Propriété | 典型数值 / Valeur typique |
| 晶体结构 / Structure cristalline | Phase β du FCC多晶,主要为(111) |
| 密度 / Densité | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureté | 2 500 维氏硬度 (charge de 500 g) |
| 晶粒大小 / Granulométrie | 2 à 10 μm |
| 纯度 / Pureté chimique | 99,99995% |
| 热容 / Capacité thermique | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Température de sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Résistance à la flexion | 415 MPa RT 4 points |
| 杨氏模量 / Module de Young | 430 Gpa 4pt courbé, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalConductivité | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Dilatation thermique (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Nous vous invitons chaleureusement à visiter notre usine, discutons-en davantage !
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