BerufsbildungsenergieGraphitschale mit Siliziumkarbidbeschichtung, Plate, and Cover ist darauf ausgelegt, erstklassige Leistung zu liefern und einen zuverlässigen und konsistenten Betrieb über einen längeren Zeitraum hinweg zu gewährleisten, was es zu einer unverzichtbaren Wahl für Waferverarbeitungsanwendungen in der Halbleiterindustrie macht. Diese HochleistungsleistungGraphitplatte mit Siliziumkarbidbeschichtungzeichnet sich durch außergewöhnliche Hitzebeständigkeit, hervorragende thermische Gleichmäßigkeit und hervorragende chemische Stabilität aus, insbesondere unter Hochtemperaturbedingungen. Seine hochreine Konstruktion, gepaart mit hoher Erosionsbeständigkeit, macht es unverzichtbar für anspruchsvolle Umgebungen wie zMOCVD-Suszeptoren.
Hauptmerkmale der Graphitschale, -platte und -abdeckung mit Siliziumkarbidbeschichtung
1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:Hält Temperaturen von bis zu 1700℃ stand und funktioniert daher auch unter extremen Bedingungen zuverlässig.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit:Für MOCVD-Anwendungen sind eine gleichbleibend hohe Reinheit und eine gleichmäßige Wärmeverteilung von entscheidender Bedeutung.
3. Außergewöhnliche Korrosionsbeständigkeit:Beständig gegen Säuren, Laugen, Salze und verschiedene organische Reagenzien und gewährleistet langfristige Stabilität in verschiedenen Umgebungen.
4. Hohe Härte und kompakte Oberfläche:Verfügt über eine dichte Oberfläche mit feinen Partikeln, die die allgemeine Haltbarkeit und Verschleißfestigkeit verbessert.
5. Erweiterte Lebensdauer:Auf Langlebigkeit ausgelegt und übertrifft herkömmliche ProdukteSiliziumkarbidbeschichtete Graphitsuszeptorenin rauen Halbleiterverarbeitungsumgebungen.
CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
晶体结构 / Kristallstruktur | FCC-β-Phase多晶, 主要为(111)取向 |
密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
晶粒大小 / Korngröße | 2~10μm |
纯度 / Chemische Reinheit | 99,99995 % |
热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
导热系数 / ThermalLeitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Die Expertise von VET Energy in maßgeschneiderten Graphit- und Siliziumkarbidlösungen
Als vertrauenswürdiger Hersteller ist VET Energy auf maßgeschneiderte Graphitsuszeptoren und Siliziumkarbid-Beschichtungslösungen spezialisiert. Wir bieten eine Reihe von Produkten an, die auf die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie zugeschnitten sind, darunter:SiC-beschichtete Graphitbauteilewie Tabletts, Teller und Deckel. Zu unserem Produktsortiment gehören auch vielfältige Beschichtungsmöglichkeiten, wie zSiC-Beschichtung für MOCVD, TaC-Beschichtung, glasartige Kohlenstoffbeschichtungund pyrolytische Kohlenstoffbeschichtung, um sicherzustellen, dass wir den unterschiedlichen Anforderungen der High-Tech-Industrien gerecht werden.
Unser erfahrenes technisches Team, bestehend aus Experten führender inländischer Forschungseinrichtungen, bietet umfassende Materiallösungen für Kunden. Wir verfeinern kontinuierlich unsere fortschrittlichen Prozesse, einschließlich einer exklusiven patentierten Technologie, die die Bindung zwischen der Siliziumkarbidbeschichtung und dem Graphitsubstrat verbessert, das Risiko einer Ablösung verringert und die Lebensdauer des Produkts weiter verlängert.
Anwendungen und Vorteile in der Halbleiterfertigung
DerSiliziumkarbidbeschichtung für MOCVDmacht diese Graphitsuszeptoren in korrosiven Umgebungen mit hohen Temperaturen äußerst effektiv. Ganz gleich, ob sie als Graphit-Waferträger oder andere MOCVD-Komponenten verwendet werden, diese mit Siliziumkarbid beschichteten Suszeptoren weisen eine überragende Haltbarkeit und Leistung auf. Für diejenigen, die zuverlässige Lösungen in der suchenSiC-beschichteter GraphitsuszeptorMarkt bieten die mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitwannen, -platten und -abdeckungen von VET Energy eine robuste und vielseitige Option, die den strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie gerecht wird.
Durch die Konzentration auf fortschrittliche Materialwissenschaft ist VET Energy bestrebt, leistungsstarke SiC-beschichtete Graphitlösungen zu liefern, die Innovationen in der Halbleiterverarbeitung vorantreiben und eine zuverlässige Leistung in allen MOCVD-bezogenen Anwendungen gewährleisten.
VET Energy ist der eigentliche Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliziumkarbidprodukten mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC-Beschichtung, TaC-Beschichtung, Glaskohlenstoffbeschichtung, pyrolytischer Kohlenstoffbeschichtung usw. und kann verschiedene kundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie liefern.
Unser technisches Team stammt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann professionellere Materiallösungen für Sie bereitstellen.
Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Prozesse, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Verbindung zwischen der Beschichtung und dem Substrat fester und weniger anfällig für Ablösungen machen kann.
Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik zu besuchen. Lassen Sie uns weitere Gespräche führen!