China-Hersteller SiC-beschichteter Graphit-MOCVD-Epitaxie-Suszeptor

Bild des chinesischen Herstellers SiC-beschichteter Graphit-MOCVD-Epitaxie-Suszeptor

Kurzbeschreibung:

Reinheit < 5 ppm
‣ Gute Dopinggleichmäßigkeit
‣ Hohe Dichte und Haftung
‣ Gute Korrosions- und Kohlenstoffbeständigkeit

‣ Professionelle Anpassung
‣ Kurze Vorlaufzeit
‣ Stabile Versorgung
‣ Qualitätskontrolle und kontinuierliche Verbesserung

Epitaxie von GaN auf Saphir(RGB/Mini/Micro-LED);
Epitaxie von GaN auf Si-Substrat(UVC);
Epitaxie von GaN auf Si-Substrat(Elektronisches Gerät);
Epitaxie von Si auf Si-Substrat(Integrierte Schaltung);
Epitaxie von SiC auf SiC-Substrat(Substrat);
Epitaxie von InP auf InP

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Produktdetails

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Hochwertiger MOCVD-Suszeptor online in China kaufen

Ein Wafer muss mehrere Schritte durchlaufen, bevor er für den Einsatz in elektronischen Geräten bereit ist. Ein wichtiger Prozess ist die Siliziumepitaxie, bei der die Wafer auf Graphit-Suszeptoren getragen werden. Die Eigenschaften und Qualität der Suszeptoren haben entscheidenden Einfluss auf die Qualität der Epitaxieschicht des Wafers.

Für Dünnschichtabscheidungsphasen wie Epitaxie oder MOCVD liefert VET Geräte aus hochreinem Graphit, die zur Unterstützung von Substraten oder „Wafern“ verwendet werden. Im Kern des Prozesses werden diese Geräte, Epitaxie-Suszeptoren oder Satellitenplattformen für das MOCVD, zunächst der Abscheidungsumgebung ausgesetzt:

Hohe Temperatur.
Hochvakuum.
Verwendung aggressiver gasförmiger Vorläufer.
Keine Kontamination, kein Abblättern.
Beständigkeit gegen starke Säuren bei Reinigungsarbeiten

VET Energy ist der eigentliche Hersteller von maßgeschneiderten Graphit- und Siliziumkarbidprodukten mit Beschichtung für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. Unser technisches Team stammt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann professionellere Materiallösungen für Sie bereitstellen.

Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Prozesse, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Verbindung zwischen der Beschichtung und dem Substrat fester und weniger anfällig für Ablösungen machen kann.

Merkmale unserer Produkte:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen bis 1700℃.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Hervorragende Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und langlebiger

CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung
性质 / Eigentum	典型数值 / Typischer Wert
晶体结构 / Kristallstruktur	FCC-β-Phase多晶, 主要为（111）取向
密度 / Dichte	3,21 g/cm³
硬度 / Härte	2500 U/min (500 g Ladung)
晶粒大小 / Korngröße	2~10μm
纯度 / Chemische Reinheit	99,99995 %
热容 / Wärmekapazität	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimationstemperatur	2700℃
抗弯强度 / Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
杨氏模量 / Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
导热系数 / ThermalLeitfähigkeit	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10^-6K^-1