Chinesischer Hersteller von SiC-beschichteten Graphit-MOCVD-Epitaxie-Suszeptoren

Abbildung eines in China hergestellten, mit SiC beschichteten Graphit-MOCVD-Epitaxie-Suszeptors

Kurzbeschreibung:

Reinheit < 5 ppm
‣ Gute Doping-Uniformität
‣ Hohe Dichte und Haftung
‣ Gute Korrosions- und Kohlenstoffbeständigkeit

‣ Professionelle Anpassung
‣ Kurze Lieferzeit
‣ Stabile Versorgung
‣ Qualitätskontrolle und kontinuierliche Verbesserung

Epitaxie von GaN auf Saphir(RGB/Mini/Micro LED);
Epitaxie von GaN auf Si-Substrat(UVC);
Epitaxie von GaN auf Si-Substrat(Elektronisches Gerät);
Epitaxie von Si auf Si-Substrat(Integrierter Schaltkreis);
Epitaxie von SiC auf SiC-Substrat(Substrat);
Epitaxie von InP auf InP

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Produktdetails

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Hochwertiger MOCVD-Susceptor online in China kaufen

Bevor ein Wafer in elektronischen Bauelementen eingesetzt werden kann, muss er mehrere Schritte durchlaufen. Ein wichtiger Prozess ist die Siliziumepitaxie, bei der die Wafer auf Graphitsuszeptoren aufgebracht werden. Die Eigenschaften und die Qualität der Suszeptoren haben einen entscheidenden Einfluss auf die Qualität der Epitaxieschicht des Wafers.

Für Dünnschichtabscheidungsphasen wie Epitaxie oder MOCVD liefert VET hochreine Graphitanlagen, die zur Aufnahme von Substraten oder „Wafern“ verwendet werden. Im Zentrum des Prozesses stehen diese Anlagen, Epitaxie-Suszeptoren oder Satellitenplattformen für die MOCVD, die zunächst der Abscheidungsumgebung ausgesetzt werden:

● Hohe Temperatur.
● Hochvakuum.
● Verwendung aggressiver gasförmiger Vorläuferstoffe.
● Keine Kontamination, kein Abschälen.
● Beständigkeit gegenüber starken Säuren bei Reinigungsvorgängen

VET Energy ist ein führender Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliziumkarbidprodukten mit Beschichtung für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. Unser technisches Team stammt aus renommierten inländischen Forschungseinrichtungen und bietet Ihnen professionelle Materiallösungen.

Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Verfahren, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die eine festere Verbindung zwischen Beschichtung und Substrat ermöglicht und die Ablösung verringert.

Merkmale unserer Produkte:

1. Hohe Oxidationsbeständigkeit bis zu 1700℃.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und höhere Widerstandsfähigkeit

CVD SiC Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	FCC β-Phase polykristallin, hauptsächlich (111)-Orientierung
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Last)
Körnung	2–10 μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg^-1·K^-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 GPA 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300 W·m^-1·K^-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10^-6K^-1