SiC-beschichtetes Graphit-Halbmondteilist eine Schlüsselkomponente in Halbleiterfertigungsprozessen, insbesondere in SiC-Epitaxieanlagen. Ihre Struktur und Materialeigenschaften bestimmen direkt die Qualität und Produktionseffizienz von Epitaxiewafern.
Aufbau der Reaktionskammer:
Der halbmondförmige Teil besteht aus zwei Teilen, dem oberen und dem unteren Teil, die zusammengefaltet werden, um eine geschlossene Wachstumskammer zu bilden, in der sich das Siliziumkarbidsubstrat (üblicherweise 4H-SiC oder 6H-SiC) befindet und durch die präzise Steuerung des Gasströmungsfeldes (z. B. einer Mischung aus SiH₄, C₃H₈ und H₂) ein epitaktisches Schichtwachstum erreicht wird.
Temperaturfeldregelung:
Die hochreine Graphitbasis in Kombination mit der Induktionsheizspule ermöglicht die Aufrechterhaltung der Kammertemperaturhomogenität (innerhalb von ±5°C) bei einer hohen Temperatur von 1500-1700°C, um die Konsistenz der Epitaxieschichtdicke zu gewährleisten.
Luftstromführung:
Durch die Gestaltung der Position des Lufteinlasses und -auslasses (z. B. des seitlichen Lufteinlasses und des oberen Luftauslasses des horizontalen Ofenkörpers) wird die laminare Strömung des Reaktionsgases über die Substratoberfläche geleitet, um durch Turbulenzen verursachte Wachstumsdefekte zu reduzieren.
Basismaterial: hochreiner Graphit
Reinheitsanforderungen:Kohlenstoffgehalt ≥99,99 %, Aschegehalt ≤5 ppm, um sicherzustellen, dass bei hohen Temperaturen keine Verunreinigungen ausgefällt werden, die die Epitaxieschicht verunreinigen.
Leistungsvorteile:
Hohe Wärmeleitfähigkeit:Die Wärmeleitfähigkeit bei Raumtemperatur erreicht 150 W/(m·K), was in etwa dem Niveau von Kupfer entspricht und eine schnelle Wärmeübertragung ermöglicht.
Niedriger Ausdehnungskoeffizient:5×10-6/℃ (25-1000℃), passend zum Siliziumkarbidsubstrat (4,2×10-6/℃), wodurch die durch thermische Spannungen verursachte Rissbildung in der Beschichtung verringert wird.
Verarbeitungsgenauigkeit:Durch CNC-Bearbeitung wird eine Maßtoleranz von ±0,05 mm erreicht, um die Abdichtung der Kammer zu gewährleisten.
Differenzierte Anwendungen von CVD-SiC und CVD-TaC
| Beschichtung | Verfahren | Vergleich | Typische Anwendung |
| CVD-SiC | Temperatur: 1000–1200 °C, Druck: 10–100 Torr | Härte HV2500, Dicke 50-100µm, ausgezeichnete Oxidationsbeständigkeit (stabil unter 1600℃) | Universelle Epitaxieöfen, geeignet für herkömmliche Atmosphären wie Wasserstoff und Silan |
| CVD-TaC | Temperatur: 1600–1800 °C, Druck: 1–10 Torr | Härte HV3000, Dicke 20-50µm, extrem korrosionsbeständig (hält korrosiven Gasen wie HCl, NH₃ usw. stand). | Stark korrosive Umgebungen (wie z. B. GaN-Epitaxie- und Ätzanlagen) oder spezielle Prozesse, die extrem hohe Temperaturen von 2600 °C erfordern |
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