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Drei Haupttechniken für das SiC-Kristallwachstum
Wie in Abb. 3 dargestellt, gibt es drei dominante Verfahren zur Herstellung hochwertiger und effizienter SiC-Einkristalle: Flüssigphasenepitaxie (LPE), physikalischer Dampftransport (PVT) und Hochtemperatur-CVD (HTCVD). PVT ist ein etabliertes Verfahren zur Herstellung von SiC-Einkristallen…Mehr lesen -
Kurze Einführung in die GaN-Halbleitertechnologie der dritten Generation und verwandte Epitaxietechnologien
1. Halbleiter der dritten Generation Die Halbleitertechnologie der ersten Generation basierte auf Halbleitermaterialien wie Silizium (Si) und Germanium (Ge). Sie bildete die materielle Grundlage für die Entwicklung von Transistoren und integrierten Schaltungen. Die Halbleitermaterialien der ersten Generation legten den Grundstein für...Mehr lesen -
23,5 Milliarden – Suzhous Super-Einhorn geht an die Börse
Nach neun Jahren Unternehmensgründung hat Innoscience insgesamt über 6 Milliarden Yuan an Finanzmitteln eingeworben und eine beeindruckende Unternehmensbewertung von 23,5 Milliarden Yuan erreicht. Die Liste der Investoren umfasst Dutzende von Unternehmen: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Mehr lesen -
Wie verbessern mit Tantalcarbid beschichtete Produkte die Korrosionsbeständigkeit von Werkstoffen?
Die Beschichtung mit Tantalcarbid ist eine gängige Oberflächenbehandlungstechnologie, die die Korrosionsbeständigkeit von Werkstoffen deutlich verbessern kann. Tantalcarbid kann mittels verschiedener Herstellungsverfahren, wie z. B. chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) oder physikalischer Abscheidung, auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht werden.Mehr lesen -
Einführung in die Halbleitertechnologie der dritten Generation GaN und verwandte Epitaxietechnologien
1. Halbleiter der dritten Generation Die Halbleitertechnologie der ersten Generation basierte auf Halbleitermaterialien wie Silizium (Si) und Germanium (Ge). Sie bildete die materielle Grundlage für die Entwicklung von Transistoren und integrierten Schaltungen. Die Halbleitermaterialien der ersten Generation legten den Grundstein für...Mehr lesen -
Numerische Simulationsstudie zum Einfluss von porösem Graphit auf das Kristallwachstum von Siliciumcarbid
Der grundlegende Prozess des SiC-Kristallwachstums lässt sich in die Sublimation und Zersetzung der Rohstoffe bei hoher Temperatur, den Transport gasförmiger Substanzen unter dem Einfluss eines Temperaturgradienten und das Rekristallisationswachstum der gasförmigen Substanzen am Impfkristall unterteilen. Darauf aufbauend…Mehr lesen -
Arten von Spezialgraphit
Spezialgraphit ist ein hochreiner, hochdichter und hochfester Graphitwerkstoff mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit, hoher Temperaturstabilität und hervorragender elektrischer Leitfähigkeit. Er wird aus natürlichem oder künstlichem Graphit durch Hochtemperatur-Wärmebehandlung und Hochdruckverarbeitung hergestellt.Mehr lesen -
Analyse von Dünnschichtabscheidungsanlagen – die Prinzipien und Anwendungen von PECVD/LPCVD/ALD-Anlagen
Bei der Dünnschichtabscheidung wird eine dünne Schicht auf das Substratmaterial eines Halbleiters aufgebracht. Diese Schicht kann aus verschiedenen Materialien bestehen, beispielsweise aus dem isolierenden Siliziumdioxid, dem Halbleiter Polysilizium, Kupfer usw. Die für die Beschichtung verwendete Anlage wird als Dünnschichtabscheidungsanlage bezeichnet.Mehr lesen -
Wichtige Faktoren, die die Qualität des Wachstums von monokristallinem Silizium bestimmen – thermisches Feld
Der Wachstumsprozess von monokristallinem Silizium findet vollständig im thermischen Feld statt. Ein optimales thermisches Feld trägt zur Verbesserung der Kristallqualität und zu einer höheren Kristallisationseffizienz bei. Die Gestaltung des thermischen Feldes bestimmt maßgeblich die Veränderungen der Temperaturgradienten.Mehr lesen
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