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  • Warum enthält eine Waffelpackung 25 Waffeln?

    Warum enthält eine Waffelpackung 25 Waffeln?

    In der hochentwickelten Welt der modernen Technologie sind Wafer, auch Siliziumwafer genannt, die Kernkomponenten der Halbleiterindustrie. Sie bilden die Grundlage für die Herstellung verschiedenster elektronischer Bauteile wie Mikroprozessoren, Speicher, Sensoren usw., und jeder Wafer...
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  • Häufig verwendete Sockel für die Dampfphasenepitaxie

    Häufig verwendete Sockel für die Dampfphasenepitaxie

    Beim Dampfphasenepitaxie-Verfahren (VPE) dient der Sockel dazu, das Substrat zu stützen und eine gleichmäßige Erwärmung während des Wachstumsprozesses zu gewährleisten. Verschiedene Sockeltypen eignen sich für unterschiedliche Wachstumsbedingungen und Materialsysteme. Im Folgenden werden einige Beispiele aufgeführt…
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  • Wie lässt sich die Lebensdauer von mit Tantalcarbid beschichteten Produkten verlängern?

    Wie lässt sich die Lebensdauer von mit Tantalcarbid beschichteten Produkten verlängern?

    Mit Tantalcarbid beschichtete Produkte sind ein häufig verwendeter Hochtemperaturwerkstoff, der sich durch hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Verschleißfestigkeit usw. auszeichnet. Daher finden sie breite Anwendung in Branchen wie der Luft- und Raumfahrt, der Chemie und der Energiewirtschaft. Um...
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  • Worin besteht der Unterschied zwischen PECVD und LPCVD bei CVD-Anlagen für die Halbleiterindustrie?

    Worin besteht der Unterschied zwischen PECVD und LPCVD bei CVD-Anlagen für die Halbleiterindustrie?

    Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist ein Verfahren zur Abscheidung eines Feststofffilms auf der Oberfläche eines Siliziumwafers durch eine chemische Reaktion eines Gasgemisches. Je nach Reaktionsbedingungen (Druck, Vorläufersubstanz) lassen sich verschiedene Anlagen einsetzen.
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  • Eigenschaften der Siliziumkarbid-Graphit-Form

    Eigenschaften der Siliziumkarbid-Graphit-Form

    Siliziumkarbid-Graphit-Form Eine Siliziumkarbid-Graphit-Form ist eine Verbundform, die aus Siliziumkarbid (SiC) als Basismaterial und Graphit als Verstärkungsmaterial besteht. Diese Form zeichnet sich durch hervorragende Wärmeleitfähigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit aus.
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  • Halbleiterprozess – vollständiger Prozess der Fotolithografie

    Halbleiterprozess – vollständiger Prozess der Fotolithografie

    Die Herstellung jedes Halbleiterprodukts erfordert Hunderte von Prozessschritten. Wir unterteilen den gesamten Herstellungsprozess in acht Schritte: Waferbearbeitung, Oxidation, Fotolithografie, Ätzen, Dünnschichtabscheidung, Epitaxie, Diffusion und Ionenimplantation. Um Ihnen zu helfen…
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  • 4 Milliarden! SK Hynix kündigt Investition in fortschrittliche Halbleiterverpackungen im Purdue Research Park an.

    4 Milliarden! SK Hynix kündigt Investition in fortschrittliche Halbleiterverpackungen im Purdue Research Park an.

    West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. plant Investitionen in Höhe von fast 4 Milliarden US-Dollar für den Bau einer hochmodernen Produktions- und Forschungsanlage für Produkte der künstlichen Intelligenz im Purdue Research Park. Damit wird ein wichtiger Knotenpunkt in der US-amerikanischen Halbleiterlieferkette in West Lafayette geschaffen.
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  • Die Lasertechnologie treibt die Transformation der Siliziumkarbid-Substratverarbeitungstechnologie voran.

    Die Lasertechnologie treibt die Transformation der Siliziumkarbid-Substratverarbeitungstechnologie voran.

    1. Überblick über die Verarbeitungstechnologie von Siliziumkarbidsubstraten Die aktuellen Verarbeitungsschritte für Siliziumkarbidsubstrate umfassen: Schleifen des Außenkreises, Schneiden, Anfasen, Schleifen, Polieren, Reinigen usw. Das Schneiden ist ein wichtiger Schritt bei der Herstellung von Halbleitersubstraten...
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  • Gängige Werkstoffe für thermische Felder: C/C-Verbundwerkstoffe

    Gängige Werkstoffe für thermische Felder: C/C-Verbundwerkstoffe

    Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundwerkstoffe sind eine Art von Kohlenstofffaserverbundwerkstoffen, bei denen Kohlenstofffasern als Verstärkungsmaterial und abgeschiedener Kohlenstoff als Matrixmaterial dienen. Die Matrix von C/C-Verbundwerkstoffen besteht aus Kohlenstoff. Da sie fast vollständig aus elementarem Kohlenstoff besteht, weist sie eine ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit auf.
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