Nachricht

Forschung zum 8-Zoll-SiC-Epitaxieofen und zum Homoepitaxieprozess - I
von Admin am 24.09.04
Die SiC-Industrie vollzieht derzeit einen Wandel von 150 mm (6 Zoll) auf 200 mm (8 Zoll). Um den dringenden Bedarf der Industrie an großflächigen, hochwertigen SiC-Homoepitaxie-Wafern zu decken, wurden erfolgreich 150-mm- und 200-mm-4H-SiC-Homoepitaxie-Wafer hergestellt.
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Optimierung der Porenstruktur von porösem Kohlenstoff -II
von Admin am 24.08.2027
Willkommen auf unserer Website für Produktinformationen und Beratung. Unsere Website: https://www.vet-china.com/ Physikalische und chemische Aktivierungsmethode Die physikalische und chemische Aktivierungsmethode bezeichnet die Herstellung poröser Materialien durch Kombination der beiden oben genannten Aktivierungsmethoden...
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Optimierung der Porenstruktur von porösem Kohlenstoff – Teil I
von Admin am 24.08.2027
Willkommen auf unserer Website für Produktinformationen und Beratung. Unsere Website: https://www.vet-china.com/ Diese Arbeit analysiert den aktuellen Markt für Aktivkohle, untersucht die Rohstoffe von Aktivkohle detailliert und stellt die Porenstruktur vor…
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Halbleiterprozessablauf-II
von Admin am 24.08.2023
Willkommen auf unserer Website für Produktinformationen und Beratung. Unsere Website: https://www.vet-china.com/ Ätzen von Poly und SiO2: Anschließend werden überschüssiges Poly und SiO2 weggeätzt, d. h. entfernt. Hierbei kommt gerichtetes Ätzen zum Einsatz. In der Klassifizierung...
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Halbleiterprozessablauf
von Admin am 24.08.2023
Man kann es auch ohne Vorkenntnisse in Physik oder Mathematik verstehen, aber es ist etwas zu einfach gehalten und eignet sich eher für Anfänger. Wer mehr über CMOS erfahren möchte, sollte den Inhalt dieser Ausgabe lesen, denn erst nach dem Verständnis des Prozessablaufs (also...)
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Quellen der Verunreinigungen und Reinigung von Halbleiterwafern
von Admin am 24.08.13
Für die Halbleiterfertigung werden einige organische und anorganische Substanzen benötigt. Da der Prozess stets in einem Reinraum unter menschlicher Beteiligung stattfindet, werden Halbleiterwafer zwangsläufig mit verschiedenen Verunreinigungen kontaminiert.
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Verschmutzungsquellen und -vermeidung in der Halbleiterindustrie
von Admin am 24.08.13
Die Halbleiterfertigung umfasst im Wesentlichen diskrete Bauelemente, integrierte Schaltungen und deren Gehäuseprozesse. Sie lässt sich in drei Phasen unterteilen: die Herstellung des Produktkörpermaterials, die Waferfertigung und die Bauelementmontage. Dazu gehören unter anderem…
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Warum ist eine Ausdünnung nötig?
von Admin am 24.08.08
Im Back-End-Prozessschritt muss der Wafer (Siliziumwafer mit Schaltkreisen auf der Vorderseite) vor dem anschließenden Vereinzeln, Verschweißen und Verpacken auf der Rückseite ausgedünnt werden, um die Montagehöhe des Gehäuses zu reduzieren, das Gehäusevolumen des Chips zu verringern und die Wärmeleitfähigkeit des Chips zu verbessern...
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Syntheseverfahren für hochreines SiC-Einkristallpulver
von Admin am 24.08.08
Beim Züchtungsprozess von Siliciumcarbid-Einkristallen ist die physikalische Dampftransportmethode (PVT) derzeit das gängigste industrielle Verfahren. Bei der PVT-Züchtung hat das Siliciumcarbidpulver einen großen Einfluss auf den Wachstumsprozess. Alle Parameter des Siliciumcarbidpulvers...
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