8-Zoll-Siliziumwafer vom Typ P

Kurzbeschreibung:

Wir stellen den hochwertigen 8-Zoll-Siliziumwafer vom Typ P vor, ein Markenzeichen der Exzellenz von VET Energy. Dieser außergewöhnliche Wafer mit einem P-Typ-Dotierungsprofil wurde sorgfältig entwickelt, um die höchsten Qualitäts- und Leistungsstandards zu erfüllen.


Produktdetails

Produkt-Tags

Der 8-Zoll-Siliziumwafer vom Typ P von VET Energy ist ein Hochleistungs-Siliziumwafer, der für eine Vielzahl von Halbleiteranwendungen entwickelt wurde, darunter Solarzellen, MEMS-Geräte und integrierte Schaltkreise. Dieser Wafer ist für seine hervorragende elektrische Leitfähigkeit und konstante Leistung bekannt und die erste Wahl für Hersteller, die zuverlässige und effiziente elektronische Komponenten herstellen möchten. VET Energy gewährleistet präzise Dotierungsniveaus und eine hochwertige Oberflächenbeschaffenheit für eine optimale Geräteherstellung.

Diese 8-Zoll-Siliziumwafer vom Typ P sind vollständig kompatibel mit verschiedenen Materialien wie SiC-Substrat, SOI-Wafer und SiN-Substrat und eignen sich für das Epi-Wafer-Wachstum, wodurch Vielseitigkeit für fortschrittliche Halbleiterherstellungsprozesse gewährleistet wird. Die Wafer können auch in Verbindung mit anderen High-Tech-Materialien wie Galliumoxid Ga2O3 und AlN-Wafern verwendet werden, was sie ideal für elektronische Anwendungen der nächsten Generation macht. Ihr robustes Design fügt sich auch nahtlos in kassettenbasierte Systeme ein und gewährleistet eine effiziente Handhabung bei der Produktion hoher Stückzahlen.

VET Energy bietet Kunden maßgeschneiderte Wafer-Lösungen. Wir können Wafer mit unterschiedlichem spezifischem Widerstand, Sauerstoffgehalt, Dicke usw. entsprechend den spezifischen Anforderungen der Kunden anpassen. Darüber hinaus bieten wir professionellen technischen Support und Kundendienst, um Kunden bei der Lösung verschiedener Probleme zu unterstützen, die während des Produktionsprozesses auftreten.

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WAFERING-SPEZIFIKATIONEN

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD) – Absoluter Wert

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Waferkante

Abschrägung

OBERFLÄCHENVERARBEITUNG

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oberflächenbeschaffenheit

Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP

Oberflächenrauheit

(10 um x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm
C-Fläche Ra≤ 0,5 nm

(5 um x 5 um) Si-Oberfläche Ra≤0,2 nm
C-Fläche Ra≤0,5 nm

Kantensplitter

Nicht zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm)

Einrückungen

Nichts erlaubt

Kratzer (Si-Face)

Menge ≤ 5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤ 5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤ 5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Risse

Nichts erlaubt

Kantenausschluss

3mm

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