Der 12-Zoll-SOI-Wafer von VET Energy ist ein Hochleistungs-Halbleitersubstratmaterial, das aufgrund seiner hervorragenden elektrischen Eigenschaften und seiner einzigartigen Struktur sehr beliebt ist. VET Energy verwendet fortschrittliche SOI-Wafer-Herstellungsprozesse, um sicherzustellen, dass der Wafer einen extrem niedrigen Leckstrom, eine hohe Geschwindigkeit und Strahlungsbeständigkeit aufweist und so eine solide Grundlage für Ihre leistungsstarken integrierten Schaltkreise bietet.
Die Produktpalette von VET Energy ist nicht auf SOI-Wafer beschränkt. Wir bieten auch eine breite Palette von Halbleitersubstratmaterialien an, darunter Si-Wafer, SiC-Substrat, SiN-Substrat, Epi-Wafer usw. sowie neue Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke wie Galliumoxid Ga2O3 und AlN-Wafer. Diese Produkte können die Anwendungsanforderungen verschiedener Kunden in den Bereichen Leistungselektronik, HF, Sensoren und anderen Bereichen erfüllen.
Mit dem Fokus auf Exzellenz verwenden unsere SOI-Wafer auch fortschrittliche Materialien wie Galliumoxid Ga2O3, Kassetten und AlN-Wafer, um Zuverlässigkeit und Effizienz auf jeder Betriebsebene zu gewährleisten. Vertrauen Sie auf VET Energy, wenn es um die Bereitstellung modernster Lösungen geht, die den Weg für den technologischen Fortschritt ebnen.
Entfesseln Sie das Potenzial Ihres Projekts mit der überlegenen Leistung der 12-Zoll-SOI-Wafer von VET Energy. Steigern Sie Ihre Innovationsfähigkeit mit Wafern, die Qualität, Präzision und Innovation verkörpern und den Grundstein für den Erfolg im dynamischen Bereich der Halbleitertechnologie legen. Wählen Sie VET Energy für erstklassige SOI-Wafer-Lösungen, die Ihre Erwartungen übertreffen.
WAFERING-SPEZIFIKATIONEN
*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD) – Absoluter Wert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Waferkante | Abschrägung |
OBERFLÄCHENVERARBEITUNG
*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Oberflächenbeschaffenheit | Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP | ||||
Oberflächenrauheit | (10 um x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5 um x 5 um) Si-Oberfläche Ra≤0,2 nm | |||
Kantensplitter | Nicht zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm) | ||||
Einrückungen | Nichts erlaubt | ||||
Kratzer (Si-Face) | Menge ≤ 5, kumulativ | Menge ≤ 5, kumulativ | Menge ≤ 5, kumulativ | ||
Risse | Nichts erlaubt | ||||
Kantenausschluss | 3mm |