12-Zoll-SOI-Wafer

Kurzbeschreibung:

Erleben Sie Innovation wie nie zuvor mit dem hochmodernen 12-Zoll-SOI-Wafer, einem technologischen Wunderwerk, das Ihnen VET Energy stolz präsentiert. Dieser mit Präzision und Fachwissen gefertigte Silizium-auf-Isolator-Wafer definiert Industriestandards neu und bietet beispiellose Qualität und Leistung.


Produktdetails

Produkt-Tags

Der 12-Zoll-SOI-Wafer von VET Energy ist ein Hochleistungs-Halbleitersubstratmaterial, das aufgrund seiner hervorragenden elektrischen Eigenschaften und seiner einzigartigen Struktur sehr beliebt ist. VET Energy verwendet fortschrittliche SOI-Wafer-Herstellungsprozesse, um sicherzustellen, dass der Wafer einen extrem niedrigen Leckstrom, eine hohe Geschwindigkeit und Strahlungsbeständigkeit aufweist und so eine solide Grundlage für Ihre leistungsstarken integrierten Schaltkreise bietet.

Die Produktpalette von VET Energy ist nicht auf SOI-Wafer beschränkt. Wir bieten auch eine breite Palette von Halbleitersubstratmaterialien an, darunter Si-Wafer, SiC-Substrat, SiN-Substrat, Epi-Wafer usw. sowie neue Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke wie Galliumoxid Ga2O3 und AlN-Wafer. Diese Produkte können die Anwendungsanforderungen verschiedener Kunden in den Bereichen Leistungselektronik, HF, Sensoren und anderen Bereichen erfüllen.

Mit dem Fokus auf Exzellenz verwenden unsere SOI-Wafer auch fortschrittliche Materialien wie Galliumoxid Ga2O3, Kassetten und AlN-Wafer, um Zuverlässigkeit und Effizienz auf jeder Betriebsebene zu gewährleisten. Vertrauen Sie auf VET Energy, wenn es um die Bereitstellung modernster Lösungen geht, die den Weg für den technologischen Fortschritt ebnen.

Entfesseln Sie das Potenzial Ihres Projekts mit der überlegenen Leistung der 12-Zoll-SOI-Wafer von VET Energy. Steigern Sie Ihre Innovationsfähigkeit mit Wafern, die Qualität, Präzision und Innovation verkörpern und den Grundstein für den Erfolg im dynamischen Bereich der Halbleitertechnologie legen. Wählen Sie VET Energy für erstklassige SOI-Wafer-Lösungen, die Ihre Erwartungen übertreffen.

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WAFERING-SPEZIFIKATIONEN

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD) – Absoluter Wert

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Waferkante

Abschrägung

OBERFLÄCHENVERARBEITUNG

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oberflächenbeschaffenheit

Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP

Oberflächenrauheit

(10 um x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm
C-Fläche Ra≤ 0,5 nm

(5 um x 5 um) Si-Oberfläche Ra≤0,2 nm
C-Fläche Ra≤0,5 nm

Kantensplitter

Nicht zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm)

Einrückungen

Nichts erlaubt

Kratzer (Si-Face)

Menge ≤ 5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤ 5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤ 5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Risse

Nichts erlaubt

Kantenausschluss

3mm

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