4-Zoll-GaAs-Wafer

Der 4-Zoll-GaAs-Wafer von VET Energy ist ein wesentliches Material für Hochgeschwindigkeits- und optoelektronische Geräte, einschließlich HF-Verstärker, LEDs und Solarzellen. Diese Wafer sind für ihre hohe Elektronenmobilität und ihre Fähigkeit, bei höheren Frequenzen zu arbeiten, bekannt, was sie zu einer Schlüsselkomponente in fortschrittlichen Halbleiteranwendungen macht. VET Energy gewährleistet GaAs-Wafer höchster Qualität mit gleichmäßiger Dicke und minimalen Defekten, die für eine Reihe anspruchsvoller Herstellungsprozesse geeignet sind.

Diese 4-Zoll-GaAs-Wafer sind mit verschiedenen Halbleitermaterialien wie Si-Wafern, SiC-Substraten, SOI-Wafern und SiN-Substraten kompatibel und eignen sich daher vielseitig für die Integration in verschiedene Gerätearchitekturen. Ob für die Epi-Wafer-Produktion oder neben hochmodernen Materialien wie Galliumoxid-Ga2O3 und AlN-Wafern – sie bieten eine zuverlässige Grundlage für die Elektronik der nächsten Generation. Darüber hinaus sind die Wafer vollständig mit kassettenbasierten Handhabungssystemen kompatibel und gewährleisten so einen reibungslosen Betrieb sowohl in der Forschung als auch in Produktionsumgebungen mit hohen Stückzahlen.

VET Energy bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleitersubstraten, darunter Si-Wafer, SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat, Epi-Wafer, Galliumoxid-Ga2O3 und AlN-Wafer. Unsere vielfältige Produktlinie deckt die Anforderungen verschiedener elektronischer Anwendungen ab, von der Leistungselektronik bis hin zu HF- und Optoelektronik.

VET Energy bietet anpassbare GaAs-Wafer an, die Ihren spezifischen Anforderungen gerecht werden, einschließlich unterschiedlicher Dotierungsgrade, Ausrichtungen und Oberflächenbeschaffenheiten. Unser Expertenteam bietet technischen Support und Kundendienst, um Ihren Erfolg sicherzustellen.