6-Zoll-N-Typ-SiC-Wafer

Kurzbeschreibung:

Der 6-Zoll-SiC-Wafer vom Typ N von VET Energy ist ein Hochleistungssubstrat, das für fortschrittliche Halbleiteranwendungen entwickelt wurde und eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Leistungseffizienz bietet. VET Energy nutzt modernste Technologie, um hochwertige Wafer herzustellen, die den strengen Anforderungen moderner Elektronik gerecht werden und Zuverlässigkeit und Haltbarkeit in Leistungsgeräten gewährleisten.

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Produktdetails

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Dieser 6-Zoll-SiC-Wafer vom Typ N wurde für eine verbesserte Leistung unter extremen Bedingungen entwickelt und ist somit die ideale Wahl für Anwendungen, die eine hohe Leistungs- und Temperaturbeständigkeit erfordern. Zu den mit diesem Wafer verbundenen Schlüsselprodukten gehören Si-Wafer, SiC-Substrat, SOI-Wafer und SiN-Substrat. Diese Materialien gewährleisten eine optimale Leistung in einer Vielzahl von Halbleiterherstellungsprozessen und ermöglichen Geräte, die sowohl energieeffizient als auch langlebig sind.

Für Unternehmen, die mit Epi-Wafern, Galliumoxid-Ga2O3-, Kassetten- oder AlN-Wafern arbeiten, bietet der 6-Zoll-N-Typ-SiC-Wafer von VET Energy die notwendige Grundlage für die innovative Produktentwicklung. Ob in der Hochleistungselektronik oder der neuesten HF-Technologie – diese Wafer gewährleisten eine hervorragende Leitfähigkeit und einen minimalen Wärmewiderstand und verschieben damit die Grenzen von Effizienz und Leistung.

WAFERING-SPEZIFIKATIONEN

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel	8 Zoll	6 Zoll			4 Zoll
Artikel	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD) – Absoluter Wert	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Waferkante	Abschrägung

OBERFLÄCHENVERARBEITUNG

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel	8 Zoll	6 Zoll			4 Zoll
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Oberflächenbeschaffenheit	Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP
Oberflächenrauheit	(10 um x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm C-Fläche Ra≤ 0,5 nm			(5 um x 5 um) Si-Oberfläche Ra≤0,2 nm C-Fläche Ra≤0,5 nm
Kantensplitter	Nicht zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm)
Einrückungen	Nichts erlaubt
Kratzer (Si-Face)	Menge ≤ 5, kumulativ Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser	Menge ≤ 5, kumulativ Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser			Menge ≤ 5, kumulativ Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser
Risse	Nichts erlaubt
Kantenausschluss	3mm