Hochreiner 8-Zoll-Siliziumwafer

Kurzbeschreibung:

Die hochreinen 8-Zoll-Siliziumwafer von VET Energy sind Ihre ideale Wahl für die Halbleiterfertigung. Diese mithilfe fortschrittlicher Technologie hergestellten Wafer weisen eine hervorragende Kristallqualität und Oberflächenebenheit auf und eignen sich daher für die Herstellung einer Vielzahl mikroelektronischer Geräte.

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Produktdetails

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Die 8-Zoll-Siliziumwafer von VET Energy werden häufig in der Leistungselektronik, Sensoren, integrierten Schaltkreisen und anderen Bereichen eingesetzt. Als führendes Unternehmen in der Halbleiterindustrie sind wir bestrebt, qualitativ hochwertige Si-Wafer-Produkte anzubieten, um den wachsenden Anforderungen unserer Kunden gerecht zu werden.

Neben Si-Wafern bietet VET Energy auch eine breite Palette an Halbleitersubstratmaterialien an, darunter SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat, Epi-Wafer usw. Unsere Produktlinie umfasst auch neue Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke wie Galliumoxid Ga2O3 und AlN Wafer, das die Entwicklung leistungselektronischer Geräte der nächsten Generation stark unterstützt.

VET Energy verfügt über fortschrittliche Produktionsanlagen und ein umfassendes Qualitätsmanagementsystem, um sicherzustellen, dass jeder Wafer strengen Industriestandards entspricht. Unsere Produkte verfügen nicht nur über hervorragende elektrische Eigenschaften, sondern auch über eine gute mechanische Festigkeit und thermische Stabilität.

VET Energy bietet seinen Kunden maßgeschneiderte Waferlösungen, darunter Wafer unterschiedlicher Größe, Art und Dotierungskonzentration. Darüber hinaus bieten wir professionellen technischen Support und Kundendienst, um Kunden bei der Lösung verschiedener Probleme zu unterstützen, die während des Produktionsprozesses auftreten.

WAFERING-SPEZIFIKATIONEN

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel	8 Zoll	6 Zoll			4 Zoll
Artikel	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD) – Absoluter Wert	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Waferkante	Abschrägung

OBERFLÄCHENVERARBEITUNG

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel	8 Zoll	6 Zoll			4 Zoll
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Oberflächenbeschaffenheit	Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP
Oberflächenrauheit	(10 um x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm C-Fläche Ra≤ 0,5 nm			(5 um x 5 um) Si-Oberfläche Ra≤0,2 nm C-Fläche Ra≤0,5 nm
Kantensplitter	Nicht zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm)
Einrückungen	Nichts erlaubt
Kratzer (Si-Face)	Menge ≤ 5, kumulativ Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser	Menge ≤ 5, kumulativ Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser			Menge ≤ 5, kumulativ Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser
Risse	Nichts erlaubt
Kantenausschluss	3mm