Epitaktischer Wafer aus Siliziumkarbid (SiC).

Der Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxiewafer von VET Energy ist ein leistungsstarkes Halbleitermaterial mit großer Bandlücke und ausgezeichneter Hochtemperaturbeständigkeit, Hochfrequenz- und Hochleistungseigenschaften. Es ist ein ideales Substrat für die neue Generation leistungselektronischer Geräte. VET Energy nutzt die fortschrittliche MOCVD-Epitaxietechnologie, um hochwertige SiC-Epitaxieschichten auf SiC-Substraten wachsen zu lassen und so die hervorragende Leistung und Konsistenz des Wafers sicherzustellen.

Unser Epitaxiewafer aus Siliziumkarbid (SiC) bietet eine hervorragende Kompatibilität mit einer Vielzahl von Halbleitermaterialien, darunter Si-Wafer, SiC-Substrat, SOI-Wafer und SiN-Substrat. Mit seiner robusten Epitaxieschicht unterstützt es fortschrittliche Prozesse wie das Epi-Wafer-Wachstum und die Integration mit Materialien wie Galliumoxid-Ga2O3- und AlN-Wafern und gewährleistet so einen vielseitigen Einsatz über verschiedene Technologien hinweg. Es ist so konzipiert, dass es mit branchenüblichen Kassettenhandhabungssystemen kompatibel ist und gewährleistet effiziente und optimierte Abläufe in Halbleiterfertigungsumgebungen.

Die Produktpalette von VET Energy ist nicht auf epitaktische SiC-Wafer beschränkt. Wir bieten auch eine breite Palette von Halbleitersubstratmaterialien an, darunter Si-Wafer, SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat, Epi-Wafer usw. Darüber hinaus entwickeln wir aktiv neue Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, wie Galliumoxid Ga2O3 und AlN Wafer, um den zukünftigen Bedarf der Leistungselektronikindustrie an leistungsstärkeren Geräten zu decken.