Piastra e coperchio del vassoio in grafite con rivestimento in carburo di silicio

Breve descrizione:

La piastra e il coperchio in grafite con rivestimento in carburo di silicio VET Energy sono un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili per un lungo periodo. Ha un'ottima resistenza al calore e uniformità termica, elevata purezza e resistenza all'erosione, che lo rendono la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer.

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Dettagli del prodotto

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Energia IFPVassoio in grafite con rivestimento in carburo di silicio, Plate e Cover sono progettati per offrire prestazioni di alto livello, garantendo un funzionamento affidabile e coerente per un uso prolungato, rendendolo una scelta essenziale per le applicazioni di elaborazione dei wafer nel settore dei semiconduttori. Questo ad alte prestazioniPiastra in grafite con rivestimento in carburo di siliciovanta un'eccezionale resistenza al calore, un'uniformità termica superiore e un'eccezionale stabilità chimica, in particolare in condizioni di alta temperatura. La sua costruzione di elevata purezza, abbinata all'avanzata resistenza all'erosione, lo rende indispensabile per ambienti esigenti comeSuscettori MOCVD.

Caratteristiche principali del vassoio, della piastra e del coperchio in grafite con rivestimento in carburo di silicio

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:Resiste a temperature fino a 1700 ℃, consentendogli di funzionare in modo affidabile in condizioni estreme.

2. Elevata purezza e uniformità termica:L'elevata purezza costante e la distribuzione uniforme del calore sono fondamentali per le applicazioni MOCVD.

3. Eccezionale resistenza alla corrosione:Resistente ad acidi, alcali, sali e vari reagenti organici, garantendo stabilità a lungo termine in diversi ambienti.

4. Elevata durezza e superficie compatta:Presenta una superficie densa con particelle fini, che migliora la durata complessiva e la resistenza all'usura.

5. Durata utile estesa:Progettato per la longevità, con prestazioni superiori a quelle convenzionalisuscettori in grafite rivestiti in carburo di silicioin ambienti difficili di lavorazione dei semiconduttori.

CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento
性质 / Proprietà	典型数值 /Valore tipico
晶体结构 / Struttura in cristallo	Fase β dell'FCC多晶,主要为（111）取向
密度 / Densità	3,21 g/cm³
硬度 / Durezza	2500 tonnellate di carico (carico di 500 g)
晶粒大小 / Granulometria	2~10μm
纯度 / Purezza chimica	99,99995%
热容 / Capacità termica	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 /Temperatura di sublimazione	2700 ℃
抗弯强度 / Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
杨氏模量 / Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
导热系数 /TermelConduttività	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)	4,5×10^-6K^-1

Competenza di VET Energy nelle soluzioni personalizzate di grafite e carburo di silicio

In qualità di produttore affidabile, VET Energy è specializzato in suscettori in grafite progettati su misura e soluzioni di rivestimento in carburo di silicio. Offriamo una gamma di prodotti su misura per l'industria dei semiconduttori e del fotovoltaico, tra cuiComponenti in grafite rivestita in SiCcome vassoi, piatti e coperchi. La nostra gamma di prodotti comprende anche diverse opzioni di rivestimento, come ad esempioRivestimento SiC per MOCVD, Rivestimento TaC, rivestimento in carbonio vetrosoe rivestimento in carbonio pirolitico, garantendo la soddisfazione delle diverse esigenze delle industrie high-tech.

Il nostro team tecnico esperto, composto da esperti provenienti dai migliori istituti di ricerca nazionali, fornisce soluzioni materiali complete per i clienti. Perfezioniamo continuamente i nostri processi avanzati, inclusa un'esclusiva tecnologia brevettata che migliora il legame tra il rivestimento in carburo di silicio e il substrato in grafite, riducendo il rischio di distacco e prolungando ulteriormente la vita del prodotto.

Applicazioni e vantaggi nella produzione di semiconduttori

ILRivestimento in carburo di silicio per MOCVDrende questi suscettori in grafite altamente efficaci in ambienti corrosivi ad alta temperatura. Che vengano utilizzati come supporti per wafer di grafite o altri componenti MOCVD, questi suscettori rivestiti in carburo di silicio dimostrano durata e prestazioni superiori. Per chi cerca soluzioni affidabili nelSuscettore in grafite rivestito in SiCmercato, il vassoio, la piastra e il coperchio in grafite rivestita in carburo di silicio di VET Energy offrono un'opzione robusta e versatile che soddisfa le rigorose esigenze dell'industria dei semiconduttori.

Concentrandosi sulla scienza dei materiali avanzata, VET Energy si impegna a fornire soluzioni di grafite rivestita in SiC ad alte prestazioni che guidano l'innovazione nella lavorazione dei semiconduttori e garantiscono prestazioni affidabili in tutte le applicazioni relative a MOCVD.

VET Energy è il vero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con diversi rivestimenti come rivestimento SiC, rivestimento TaC, rivestimento in carbonio vetroso, rivestimento in carbonio pirolitico, ecc., può fornire varie parti personalizzate per l'industria dei semiconduttori e fotovoltaica.

Il nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornirti soluzioni materiali più professionali.

Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali sempre più avanzati e abbiamo elaborato un'esclusiva tecnologia brevettata, che può rendere il legame tra il rivestimento e il substrato più stretto e meno incline al distacco.

Un caloroso benvenuto a visitare la nostra fabbrica, disponiamo di ulteriori discussioni!