Substrato di grafite rivestito in carburo di silicio per semiconduttori, suscettore MOCVD

Breve descrizione:

Il susceptor rivestito in SiC VET Energy è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili per un periodo prolungato. Ha un'ottima resistenza al calore e uniformità termica, elevata purezza e resistenza all'erosione, che lo rendono la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer.

Luogo di origine:Zhejiang, Cina (continente)

Numero di modello:Numero di modello:

Composizione chimica:Grafite rivestita in SiC

Resistenza alla flessione:470 MPa

Conduttività termica:300 W/mK

Qualità:Perfetto

Funzione:CVD-SiC

Applicazione:Semiconduttori/Fotovoltaico

Densità:3,21 g/cc

Dilatazione termica:4 10-6/K

Cenere: <5 ppm

Campione:Disponibile

Codice SA:6903100000

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Dettagli del prodotto

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Suscettore rivestito in SiC VET Energyè una soluzione ad alte prestazioni realizzata meticolosamente per offrire prestazioni affidabili e costanti per una durata di vita prolungata, soddisfacendo i rigorosi requisiti della produzione di semiconduttori. Dotato di eccezionale resistenza al calore, uniformità termica superiore ed elevata purezza, questo prodotto è ideale per i supporti wafer MOCVD e altre applicazioni di lavorazione dei wafer che richiedono stabilità e precisione. La sua robusta resistenza all'erosione lo rende una scelta eccellente per gli ambienti in cui la durabilità e la resilienza chimica sono essenziali.

NostroSuscettore in grafite rivestito in SiCrappresenta un componente critico nel processo di produzione dei semiconduttori, sfruttando l'esclusiva tecnologia brevettata di VET Energy per ottenere una purezza estremamente elevata, un'uniformità di rivestimento superiore e una notevole stabilità termica. Il rivestimento migliora il substrato di grafite con un'elevata resistenza chimica e una durata di servizio notevolmente estesa. La dedizione di VET Energy alla qualità ha portato alla realizzazione di un suscettore rivestito in SiC che soddisfa le esigenze in evoluzione del mercato dei supporti per wafer in grafite, stabilendo uno standard elevato per i suscettori in grafite rivestiti in SiC utilizzati inProcessi MOCVD.

Caratteristiche principali dei suscettori rivestiti in SiC:

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:Resiste a temperature fino a 1700 ℃, rendendolo adatto a condizioni di lavorazione estreme.

2. Elevata purezza e uniformità termica:Garantisce risultati coerenti, vitali perSuscettori MOCVDe altre applicazioni di precisione.

3. Eccellente resistenza alla corrosione:Resistente agli acidi, agli alcali, al sale e a vari reagenti organici.

4. Durezza superficiale migliorata:Superficie compatta con particelle fini che garantiscono maggiore durata e longevità.

5. Durata utile estesa:Progettato per prestazioni prolungate, superando i suscettori standard rivestiti in carburo di silicio in ambienti di lavorazione difficili.

In qualità di produttore leader, VET Energy è specializzato in grafite personalizzata eprodotti in carburo di siliciocon varie opzioni di rivestimento, tra cuiRivestimento SiC, Rivestimento TaC, rivestimento in carbonio vetrosoe rivestimento in carbonio pirolitico. Serviamo con orgoglio i settori dei semiconduttori e del fotovoltaico, fornendo suscettori in grafite rivestiti in carburo di silicio che soddisfano specifiche esigenze operative.

Il nostro team tecnico, con esperienza nei migliori istituti di ricerca nazionali, è dedicato al progresso di soluzioni materiali per le esigenze in evoluzione delSuscettore in grafite rivestito in SiCmercato. Attraverso il nostro processo brevettato, VET Energy ha sviluppato una tecnologia unica che migliora significativamente la forza di adesione tra il rivestimento in carburo di silicio e il substrato, riducendo il rischio di distacco e migliorando l'affidabilità a lungo termine.

Applicazioni e vantaggi nella lavorazione dei semiconduttori

ILRivestimento SiC per MOCVDabilitasuscettore di grafitecomponenti per mantenere l'integrità in ambienti ad alta temperatura e corrosivi, che è vitale per la produzione di semiconduttori di precisione. Questi componenti in grafite rivestiti in SiC sono particolarmente apprezzati nei processi che richiedono suscettori rivestiti in carburo di siliciosupporti per wafer di grafite, che richiedono elevata stabilità termica, purezza e resistenza all'erosione chimica.

Con le nostre avanzate tecniche di rivestimento in carburo di silicio, VET Energy continua a supportare il mercato dei supporti per wafer in grafite fornendo soluzioni personalizzate e ad alte prestazioniSuscettori in grafite rivestiti in SiCche affrontano le sfide specifiche del settore, dai processi MOCVD alle applicazioni ad elevata purezza nel campo dei semiconduttori.