Suscettori per trasportatori wafer MOCVD in grafite con rivestimento in SiC

Suscettori per wafer MOCVD con rivestimento in SiC Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il suscettore MOCVD rivestito in SiC VET Energy per crescita epitassiale è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili per un periodo prolungato. Ha un'ottima resistenza al calore e uniformità termica, elevata purezza e resistenza all'erosione, che lo rendono la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer.

Inviaci un'e-mail Scarica come PDF

Dettagli del prodotto

Tag dei prodotti

Supporti/suscettore per wafer MOCVD in grafite con rivestimento in SiC

Tutti i nostri suscettori sono realizzati in grafite isostatica ad alta resistenza. Approfittate dell'elevata purezza delle nostre grafiti, sviluppate appositamente per processi impegnativi come l'epitassia, la crescita dei cristalli, l'impianto ionico e l'incisione al plasma, nonché per la produzione di chip LED.

Caratteristiche dei nostri prodotti:

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura fino a 1700 ℃.
2. Elevata purezza e uniformità termica
3. Eccellente resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
4. Elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
5. Durata di servizio più lunga e più durevole

CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento
性质 / Proprietà	典型数值 /Valore tipico
晶体结构 / Struttura in cristallo	Fase β dell'FCC多晶,主要为（111）取向
密度 / Densità	3,21 g/cm³
硬度 / Durezza	2500 tonnellate di carico (carico di 500 g)
晶粒大小 / Granulometria	2~10μm
纯度 / Purezza chimica	99,99995%
热容 / Capacità termica	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 /Temperatura di sublimazione	2700 ℃
抗弯强度 / Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
杨氏模量 / Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
导热系数 /TermelConduttività	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)	4,5×10^-6K^-1

VET Energy è il vero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con diversi rivestimenti come rivestimento SiC, rivestimento TaC, rivestimento in carbonio vetroso, rivestimento in carbonio pirolitico, ecc., può fornire varie parti personalizzate per l'industria dei semiconduttori e fotovoltaica.

Il nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornirti soluzioni materiali più professionali.

Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali sempre più avanzati e abbiamo elaborato un'esclusiva tecnologia brevettata, che può rendere il legame tra il rivestimento e il substrato più stretto e meno incline al distacco.

Un caloroso benvenuto a visitare la nostra fabbrica, disponiamo di ulteriori discussioni!