Suscepteur de plaquette avec revêtement TaC pour G5 G10

Le support de plaquette à revêtement en carbure de tantale (TaC) CVD, développé indépendamment par VET Energy, est conçu pour les conditions de travail difficiles telles que la fabrication de semi-conducteurs, la croissance épitaxiale de plaquettes LED (MOCVD), les fours de croissance cristalline, le traitement thermique sous vide à haute température, etc. Grâce à la technologie de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), un revêtement dense et uniforme en carbure de tantale est formé sur la surface du substrat en graphite, conférant au support une stabilité à très haute température (> 3000 °C), une résistance à la corrosion par les métaux en fusion, une résistance aux chocs thermiques et des caractéristiques de faible pollution, prolongeant considérablement sa durée de vie.

Nos avantages techniques :
1. Stabilité à très haute température.
Point de fusion de 3880 °C : le revêtement en carbure de tantale peut fonctionner de manière continue et stable au-dessus de 2500 °C, dépassant largement la température de décomposition de 1200 à 1400 °C des revêtements conventionnels en carbure de silicium (SiC).
Résistance aux chocs thermiques : Le coefficient de dilatation thermique du revêtement correspond à celui du substrat en graphite (6,6×10 -6 /K) et peut résister à des cycles rapides de montée et de descente de température avec une différence de température de plus de 1000°C pour éviter les fissures ou le décollement.
Propriétés mécaniques à haute température : La dureté du revêtement atteint 2000 HK (dureté Vickers) et le module d'élasticité est de 537 GPa, tout en conservant une excellente résistance structurelle à haute température.

2. Extrêmement résistant à la corrosion pour garantir la pureté du procédé
Excellente résistance : Il présente une excellente résistance aux gaz corrosifs tels que H₂, NH₃, SiH₄, HCl et aux métaux fondus (par exemple Si, Ga), isolant complètement le substrat en graphite de l'environnement réactif et évitant la contamination par le carbone.
Faible migration des impuretés : ultra-haute pureté, inhibe efficacement la migration de l'azote, de l'oxygène et d'autres impuretés vers le cristal ou la couche épitaxiale, réduisant le taux de défauts des microtubes de plus de 50 %.

3. Précision à l'échelle nanométrique pour améliorer la cohérence du processus
Uniformité du revêtement : tolérance d'épaisseur ≤ ±5 %, la planéité de la surface atteint le niveau nanométrique, assurant une grande cohérence des paramètres de croissance de la plaquette ou du cristal, erreur d'uniformité thermique < 1 %.
Précision dimensionnelle : prend en charge la personnalisation de la tolérance de ±0,05 mm, s'adapte aux plaquettes de 4 à 12 pouces et répond aux besoins des interfaces d'équipements de haute précision.

4. Durable et résistant, ce qui réduit les coûts globaux
Résistance d'adhérence : La résistance d'adhérence entre le revêtement et le substrat en graphite est ≥5 MPa, résistante à l'érosion et à l'usure, et la durée de vie est prolongée de plus de 3 fois.

Compatibilité machine
Convient aux équipements de croissance épitaxiale et cristalline courants tels que CVD, MOCVD, ALD, LPE, etc., couvrant la croissance de cristaux de SiC (méthode PVT), l'épitaxie de GaN, la préparation de substrats AlN et d'autres scénarios.
Nous proposons une variété de formes de suscepteurs telles que plates, concaves, convexes, etc. L'épaisseur (5-50 mm) et la disposition des trous de positionnement peuvent être ajustées en fonction de la structure de la cavité pour obtenir une compatibilité parfaite avec l'équipement.

Principales applications :
Croissance cristalline du SiC : Dans la méthode PVT, le revêtement permet d'optimiser la distribution du champ thermique, de réduire les défauts de bord et d'augmenter la surface de croissance effective du cristal à plus de 95 %.
Épitaxie GaN : Dans le procédé MOCVD, l'erreur d'uniformité thermique du suscepteur est <1% et la cohérence de l'épaisseur de la couche épitaxiale atteint ±2%.
Préparation du substrat AlN : Dans la réaction d'amination à haute température (>2000°C), le revêtement TaC peut isoler complètement le substrat de graphite, éviter la contamination par le carbone et améliorer la pureté du cristal AlN.