Le frittéCarbure de silicium (SiC)Cristal/Bateau à plaquettesest conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des industries des semi-conducteurs et de la microélectronique. Il fournit une plate-forme sécurisée pour la manipulation des cristaux et des tranches de silicium pendant le traitement à haute température, garantissant ainsi le maintien de leur intégrité et de leur pureté.
Principales fonctionnalités
- Stabilité thermique exceptionnelle: Capable de supporter des températures jusqu'à 1600°C, idéal pour les processus qui nécessitent un contrôle thermique précis.
- Résistance chimique supérieure: Résistant à la plupart des produits chimiques et gaz corrosifs, offrant une durabilité dans les environnements de traitement difficiles.
- Résistance mécanique robuste: Maintient l'intégrité structurelle sous des contraintes élevées, réduisant ainsi le risque de déformation ou de rupture.
- Dilatation thermique minimale: Conçu pour minimiser le risque de choc thermique et de fissuration, offrant des performances fiables lors d'une utilisation prolongée.
- Fabrication de précision: Fabriqué avec une haute précision pour répondre aux exigences spécifiques des processus et s'adapter à différentes tailles de cristaux et de plaquettes.
Applications
• Traitement des plaquettes semi-conductrices
• Fabrication de LED
• Production de cellules photovoltaïques
• Systèmes de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
• Recherche et développement en science des matériaux
| 烧结碳化硅物理特性 Propriétés physiques deSintéresséSiliconeCArbider | |
| 性质 / Propriété | 典型数值 / Valeur typique |
| 化学成分 / ChimiqueComposition | SiC>95%, Si<5% |
| 体积密度 / Densité apparente | >3,07 g/cm³ |
| 显气孔率/ Porosité apparente Porosité apparente | <0,1% |
| 常温抗弯强度/ Module de rupture à 20℃ | 270 MPa |
| 高温抗弯强度/ Module de rupture à 1200℃ | 290MPa |
| 硬度/ Dureté à 20℃ | 2400 kg/mm² |
| 断裂韧性/ Ténacité à la rupture à 20% | 3.3MPa · m1/2 |
| 导热系数/ Conductivité thermique à 1200℃ | 45avec m .K |
| 热膨胀系数/ Expansion thermique à 20-1200℃ | 4.51 ×10-6/℃ |
| 最高工作温度/ Température maximale de fonctionnement | 1400℃ |
| 热震稳定性/ Résistance aux chocs thermiques à 1200℃ | Bien |
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