Cristal/plaquette en carbure de silicium fritté (SiC)

Image en vedette d'un cristal/plateforme en carbure de silicium fritté (SiC)

Description courte :

Notre support pour cristaux/plaquettes en carbure de silicium fritté (SiC) est conçu pour une précision optimale dans la fabrication de semi-conducteurs. Grâce à son exceptionnelle stabilité thermique, sa résistance chimique et sa robustesse mécanique, ce support garantit un transport sûr et efficace des cristaux et des plaquettes lors des procédés à haute température.

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Détails du produit

Étiquettes de produit

Le frittéCarbure de silicium (SiC)Cristal/Bateau à gaufresConçue pour répondre aux exigences rigoureuses des industries des semi-conducteurs et de la microélectronique, cette plateforme sécurisée permet la manipulation de cristaux et de plaquettes de silicium lors de traitements à haute température, garantissant ainsi le maintien de leur intégrité et de leur pureté.

Caractéristiques principales

Stabilité thermique exceptionnelleCapable de résister à des températures allant jusqu'à 1600 °C, idéal pour les procédés nécessitant un contrôle thermique précis.
résistance chimique supérieureRésistant à la plupart des produits chimiques et gaz corrosifs, assurant une grande durabilité dans les environnements de traitement difficiles.
Solidité mécanique robuste: Maintient l'intégrité structurelle sous forte contrainte, réduisant ainsi la probabilité de déformation ou de rupture.
Dilatation thermique minimaleConçu pour minimiser les risques de choc thermique et de fissuration, il offre des performances fiables même en cas d'utilisation prolongée.
Fabrication de précisionFabriqué avec une grande précision pour répondre aux exigences spécifiques du processus et s'adapter à différentes tailles de cristaux et de plaquettes.

Applications

• Traitement des plaquettes de semi-conducteurs

• Fabrication de LED

• Production de cellules photovoltaïques

• Systèmes de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)

• Recherche et développement en sciences des matériaux

烧结碳化硅物理特性 Propriétés physiques deSinhuméSiliconCarbide
性质 / Propriété	典型数值 / Valeur typique
化学成分 / ChimiqueComposition	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / Masse volumique apparente	>3,07 g/cm³
显气孔率/ Porosité apparente Porosité apparente	<0,1%
常温抗弯强度Module de rupture à 20 °C	270 MPa
高温抗弯强度Module de rupture à 1200 °C	290MPa
硬度Dureté à 20 °C	2400 kg/mm²
断裂韧性/ Ténacité à la rupture à 20 %	3.3MPa · m^1/2
导热系数Conductivité thermique à 1200 °C	45w/m .K
热膨胀系数Dilatation thermique entre 20 et 1200 °C	4.51 ×10^-6/℃
最高工作温度/ Température de fonctionnement maximale	1400℃
热震稳定性Résistance aux chocs thermiques à 1200 °C	Bien

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