Vet-China présente un porte-plaquettes contiguës de pointe, conçu pour la prochaine génération de fabrication de semi-conducteurs. Ce porte-plaquettes, conçu avec une grande précision, offre une manipulation des plaquettes d'une précision inégalée, garantissant un fonctionnement optimal et réduisant considérablement les risques de dommages pendant le traitement.
Fabriqué avec des matériaux de haute qualité, le porte-plaquettes contiguës offre une excellente stabilité thermique et une résistance chimique exceptionnelle, ce qui le rend idéal pour les environnements à haute température et à forte intensité chimique. Sa conception innovante assure un maintien sûr et un alignement parfait des plaquettes, optimisant ainsi le débit et augmentant l'efficacité de la production.
Ce porte-plaquettes de pointe est conçu pour répondre aux exigences des usines de semi-conducteurs modernes, prenant en charge des plaquettes de différentes tailles et configurations. En intégrant le porte-plaquettes contigu de vet-china à votre ligne de production, vous bénéficierez de performances accrues, de temps d'arrêt réduits et de rendements améliorés.
Découvrez la différence grâce à l'engagement de Vet-China envers la qualité et l'innovation, qui propose des produits repoussant les limites de la fabrication de semi-conducteurs. Choisissez le porte-plaquettes contigu et optimisez vos capacités de traitement de plaquettes.
Propriétés du carbure de silicium recristallisé
Le carbure de silicium recristallisé (R-SiC) est un matériau haute performance dont la dureté n'est surpassée que par celle du diamant. Il se forme à une température élevée, supérieure à 2 000 °C. Il conserve de nombreuses propriétés remarquables du SiC, telles qu'une résistance mécanique élevée à haute température, une forte résistance à la corrosion, une excellente résistance à l'oxydation et une bonne résistance aux chocs thermiques.
● Excellentes propriétés mécaniques. Le carbure de silicium recristallisé présente une résistance et une rigidité supérieures à celles de la fibre de carbone, une haute résistance aux chocs, d'excellentes performances dans des environnements à températures extrêmes et un meilleur contrepoids dans diverses situations. De plus, sa grande flexibilité et sa résistance aux déformations (étirement et flexion) améliorent considérablement ses performances.
• Haute résistance à la corrosion. Le carbure de silicium recristallisé présente une haute résistance à la corrosion face à divers milieux, prévient l'érosion par différents agents corrosifs, conserve durablement ses propriétés mécaniques et offre une forte adhérence, ce qui lui confère une durée de vie prolongée. De plus, sa bonne stabilité thermique lui permet de s'adapter à certaines variations de température, améliorant ainsi ses performances.
● Le frittage ne provoque pas de retrait. Grâce à l'absence de retrait lors du frittage, aucune contrainte résiduelle ne risque de déformer ou de fissurer le produit, permettant ainsi la fabrication de pièces aux formes complexes et de haute précision.
| 重结晶碳化硅物理特性 Propriétés physiques du carbure de silicium recristallisé | |
| 性质 / Propriété | 典型数值 / Valeur typique |
| 使用温度/ Température de fonctionnement (°C) | 1600°C (avec oxygène), 1700°C (milieu réducteur) |
| SiC含量/ Teneur en SiC | > 99,96% |
| 自由Si含量/ Contenu Si gratuit | < 0,1% |
| 体积密度/densité apparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| 气孔率/ Porosité apparente | < 16% |
| 抗压强度/ Résistance à la compression | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/résistance à la flexion à froid | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度résistance à la flexion à chaud | 90-100 MPa (1400 °C) |
| 热膨胀系数Dilatation thermique à 1500 °C | 4,70 10-6/°C |
| 导热系数/Conductivité thermique à 1200 °C | 23W/m•K |
| 杨氏模量Module d'élasticité | 240 GPa |
| 抗热震性/ résistance aux chocs thermiques | Extrêmement bon |
VET Energy est leVéritable fabricant de produits personnalisés en graphite et carbure de silicium avec revêtement CVD,peut fournirdiversPièces sur mesure pour l'industrie des semi-conducteurs et du photovoltaïque. ONotre équipe technique, issue des meilleurs instituts de recherche nationaux, peut fournir des solutions matérielles plus professionnelles.pour toi.
Nous développons en permanence des procédés avancés pour fournir des matériaux plus performants.etont mis au point une technologie exclusive brevetée, qui permet de rendre la liaison entre le revêtement et le substrat plus étroite et moins sujette au détachement.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Propriétés physiques fondamentales du SiC CVDrevêtement | |
| 性质 / Propriété | 典型数值 / Valeur typique |
| 晶体结构 / Structure cristalline | Phase β de la structure cubique à faces centrées (CFC)多晶，主要为（111) |
| 密度 / Densité | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureté | 2 500 维氏硬度 (charge de 500 g) |
| 晶粒大小 / Taille des grains | 2~10 μm |
| 纯度 / Pureté chimique | 99,99995% |
| 热容 / Capacité thermique | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Température de sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Résistance à la flexion | 415 MPa RT 4 points |
| 杨氏模量 Module de Young | 430 Gpa flexion 4 points, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermielConductivité | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Dilatation thermique (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Nous vous invitons chaleureusement à visiter notre usine, pourrons en discuter plus en détail !
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