SiC solide CVD de haute pureté en vrac

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Description courte :

La croissance rapide de monocristaux de SiC par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une méthode courante pour la préparation de matériaux monocristallins de SiC de haute qualité. Ces monocristaux trouvent des applications dans de nombreux domaines, notamment l'électronique de puissance, l'optoélectronique, les capteurs et les semi-conducteurs.

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VET Energy utilise une pureté ultra-élevéecarbure de silicium (SiC)formé par dépôt chimique en phase vapeur(MCV)comme matière première pour la croissancecristaux de SiCpar transport physique en phase vapeur (PVT). En PVT, le matériau source est chargé dans uncreusetet sublimé sur un germe cristallin.

Une source de haute pureté est nécessaire pour fabriquer des produits de haute qualité.cristaux de SiC.

VET Energy se spécialise dans la fourniture de SiC à grosses particules pour les procédés PVT, car sa densité est supérieure à celle des matériaux à petites particules obtenus par combustion spontanée de gaz contenant du silicium et du carbone. Contrairement au frittage en phase solide ou à la réaction du silicium et du carbone, ce procédé ne nécessite ni four de frittage dédié ni étape de frittage longue et fastidieuse dans un four de croissance. Ce matériau à grosses particules présente un taux d'évaporation quasi constant, ce qui améliore l'homogénéité des procédés.

Introduction:
1. Préparation de la source de blocs CVD-SiC : Il faut d’abord préparer une source de blocs CVD-SiC de haute qualité, généralement de haute pureté et de haute densité. Celle-ci peut être préparée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) dans des conditions de réaction appropriées.

2. Préparation du substrat : Choisir un substrat approprié pour la croissance de monocristaux de SiC. Les matériaux couramment utilisés, tels que le carbure de silicium et le nitrure de silicium, présentent une bonne compatibilité avec la croissance de monocristaux de SiC.

3. Chauffage et sublimation : Placer le bloc source de SiC CVD et le substrat dans un four à haute température et assurer les conditions de sublimation appropriées. La sublimation correspond au passage direct du bloc source de l’état solide à l’état gazeux sous haute température, puis à sa recondensation sur la surface du substrat pour former un monocristal.

4. Contrôle de la température : Lors de la sublimation, le gradient et la distribution de température doivent être contrôlés avec précision afin de favoriser la sublimation du bloc source et la croissance de monocristaux. Un contrôle approprié de la température permet d’obtenir une qualité cristalline et une vitesse de croissance optimales.

5. Contrôle de l'atmosphère : Lors de la sublimation, l'atmosphère réactionnelle doit également être contrôlée. Un gaz inerte de haute pureté (tel que l'argon) est généralement utilisé comme gaz vecteur afin de maintenir une pression et une pureté adéquates et d'éviter toute contamination par des impuretés.

6. Croissance monocristalline : La source de SiC déposée par CVD subit une transition de phase vapeur lors de la sublimation et se recondense sur la surface du substrat pour former une structure monocristalline. La croissance rapide de monocristaux de SiC est possible grâce à des conditions de sublimation appropriées et à un contrôle précis du gradient de température.