SiC solide CVD en vrac de haute pureté

Image de présentation en vrac de SiC solide CVD de haute pureté

Brève description :

La croissance rapide de monocristaux de SiC à l’aide de sources massives CVD-SiC (Chemical Vapor Deposition – SiC) est une méthode courante pour préparer des matériaux monocristallins de SiC de haute qualité. Ces monocristaux peuvent être utilisés dans diverses applications, notamment les dispositifs électroniques haute puissance, les dispositifs optoélectroniques, les capteurs et les dispositifs à semi-conducteurs.

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Détail du produit

Mots clés du produit

VET Energy utilise une ultra-haute puretécarbure de silicium (SiC)formé par dépôt chimique en phase vapeur(MCV)comme matière première pour la cultureCristaux de SiCpar transport physique de vapeur (PVT). En PVT, le matériel source est chargé dans uncreusetet sublimé sur un cristal de graine.

Une source de haute pureté est nécessaire pour fabriquer des produits de haute qualitéCristaux de SiC.

VET Energy se spécialise dans la fourniture de SiC à grosses particules pour le PVT, car il a une densité plus élevée que les matériaux à petites particules formés par combustion spontanée de gaz contenant du Si et du C. Contrairement au frittage en phase solide ou à la réaction de Si et C, il ne nécessite pas de four de frittage dédié ni d'étape de frittage fastidieuse dans un four de croissance. Ce matériau à grosses particules a un taux d'évaporation presque constant, ce qui améliore l'uniformité d'un cycle à l'autre.

Introduction:
1. Préparez la source de bloc CVD-SiC : Tout d’abord, vous devez préparer une source de bloc CVD-SiC de haute qualité, qui est généralement de haute pureté et de haute densité. Celui-ci peut être préparé par la méthode de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) dans des conditions de réaction appropriées.

2. Préparation du substrat : sélectionnez un substrat approprié comme substrat pour la croissance monocristalline de SiC. Les matériaux de substrat couramment utilisés comprennent le carbure de silicium, le nitrure de silicium, etc., qui correspondent bien au monocristal SiC en croissance.

3. Chauffage et sublimation : placez la source du bloc CVD-SiC et le substrat dans un four à haute température et fournissez des conditions de sublimation appropriées. La sublimation signifie qu'à haute température, la source de bloc passe directement de l'état solide à l'état vapeur, puis se recondense sur la surface du substrat pour former un monocristal.

4. Contrôle de la température : pendant le processus de sublimation, le gradient de température et la répartition de la température doivent être contrôlés avec précision pour favoriser la sublimation de la source de bloc et la croissance des monocristaux. Un contrôle approprié de la température peut atteindre une qualité cristalline et un taux de croissance idéaux.

5. Contrôle de l’atmosphère : Pendant le processus de sublimation, l’atmosphère de réaction doit également être contrôlée. Un gaz inerte de haute pureté (tel que l'argon) est généralement utilisé comme gaz porteur pour maintenir une pression et une pureté appropriées et éviter la contamination par des impuretés.

6. Croissance monocristalline : la source de bloc CVD-SiC subit une transition de phase vapeur pendant le processus de sublimation et se recondense à la surface du substrat pour former une structure monocristalline. Une croissance rapide des monocristaux de SiC peut être obtenue grâce à des conditions de sublimation appropriées et à un contrôle du gradient de température.