Wafer-Suszeptor mit TaC-Beschichtung für G5 G10

Der von VET Energy eigenständig entwickelte Wafer-Suszeptor mit CVD-Tantalcarbid-Beschichtung (TaC) ist für anspruchsvolle Betriebsbedingungen wie die Halbleiterfertigung, das epitaktische Wachstum von LED-Wafern (MOCVD), Kristallzuchtöfen, Hochtemperatur-Vakuumwärmebehandlungen usw. konzipiert. Mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) wird eine dichte und gleichmäßige Tantalcarbid-Beschichtung auf der Oberfläche des Graphitsubstrats gebildet, wodurch der Suszeptor eine extrem hohe Temperaturstabilität (>3000℃), Beständigkeit gegen Schmelzmetallkorrosion, Temperaturwechselbeständigkeit und geringe Verschmutzungseigenschaften aufweist und seine Lebensdauer deutlich verlängert wird.

Unsere technischen Vorteile:
1. Extrem hohe Temperaturstabilität.
Schmelzpunkt 3880°C: Tantalcarbid-Beschichtungen können kontinuierlich und stabil oberhalb von 2500°C betrieben werden und übertreffen damit die Zersetzungstemperatur von herkömmlichen Siliciumcarbid (SiC)-Beschichtungen von 1200-1400°C bei weitem.
Temperaturwechselbeständigkeit: Der Wärmeausdehnungskoeffizient der Beschichtung entspricht dem des Graphitsubstrats (6,6×10 -6 /K) und hält schnellen Temperaturanstiegs- und -abfallzyklen mit einer Temperaturdifferenz von mehr als 1000°C stand, ohne dass es zu Rissen oder Ablösungen kommt.
Mechanische Eigenschaften bei hohen Temperaturen: Die Härte der Beschichtung erreicht 2000 HK (Vickers-Härte) und der Elastizitätsmodul beträgt 537 GPa, und sie behält auch bei hohen Temperaturen eine ausgezeichnete strukturelle Festigkeit bei.

2. Extrem korrosionsbeständig zur Gewährleistung der Prozessreinheit.
Ausgezeichnete Beständigkeit: Es weist eine ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber korrosiven Gasen wie H₂, NH₃, SiH₄, HCl und geschmolzenen Metallen (z. B. Si, Ga) auf, wodurch das Graphitsubstrat vollständig von der reaktiven Umgebung isoliert und eine Kohlenstoffverunreinigung vermieden wird.
Geringe Verunreinigungsmigration: Ultrahohe Reinheit, hemmt effektiv die Migration von Stickstoff, Sauerstoff und anderen Verunreinigungen in den Kristall oder die Epitaxieschicht und reduziert die Defektrate der Mikroröhrchen um mehr als 50%.

3. Nanopräzision zur Verbesserung der Prozesskonsistenz
Gleichmäßigkeit der Beschichtung: Dickentoleranz ≤ ±5 %, Oberflächenebenheit im Nanometerbereich, Gewährleistung einer hohen Konsistenz der Wafer- oder Kristallwachstumsparameter, Fehler der thermischen Gleichmäßigkeit < 1 %.
Maßgenauigkeit: Unterstützt eine Toleranzanpassung von ±0,05 mm, ist für Wafer von 4 bis 12 Zoll geeignet und erfüllt die Anforderungen hochpräziser Geräteschnittstellen.

4. Langlebig und robust, wodurch die Gesamtkosten gesenkt werden.
Haftfestigkeit: Die Haftfestigkeit zwischen der Beschichtung und dem Graphitsubstrat beträgt ≥5 MPa, ist beständig gegen Erosion und Verschleiß, und die Lebensdauer wird um mehr als das Dreifache verlängert.

Maschinenkompatibilität
Geeignet für gängige Epitaxie- und Kristallzüchtungsanlagen wie CVD, MOCVD, ALD, LPE usw., und deckt SiC-Kristallzüchtung (PVT-Methode), GaN-Epitaxie, AlN-Substratpräparation und andere Anwendungsfälle ab.
Wir bieten eine Vielzahl von Suszeptorformen an, wie z. B. flach, konkav, konvex usw. Die Dicke (5-50 mm) und die Anordnung der Positionierungslöcher können entsprechend der Hohlraumstruktur angepasst werden, um eine nahtlose Kompatibilität mit dem Gerät zu gewährleisten.

Hauptanwendungen:
SiC-Kristallwachstum: Bei der PVT-Methode kann die Beschichtung die thermische Feldverteilung optimieren, Kantenfehler reduzieren und die effektive Wachstumsfläche des Kristalls auf über 95 % erhöhen.
GaN-Epitaxie: Im MOCVD-Prozess beträgt der Fehler der thermischen Gleichmäßigkeit des Suszeptors <1%, und die Konsistenz der Epitaxieschichtdicke erreicht ±2%.
AlN-Substratpräparation: Bei der Hochtemperatur-Aminierungsreaktion (>2000°C) kann die TaC-Beschichtung das Graphitsubstrat vollständig isolieren, Kohlenstoffverunreinigungen vermeiden und die Reinheit des AlN-Kristalls verbessern.