6-Zoll-Siliziumwafer vom Typ P

Kurzbeschreibung:

Der 6-Zoll-P-Typ-Siliziumwafer von VET Energy ist ein hochwertiges Halbleiterbasismaterial, das häufig bei der Herstellung verschiedener elektronischer Geräte verwendet wird. VET Energy nutzt den fortschrittlichen CZ-Wachstumsprozess, um sicherzustellen, dass der Wafer eine ausgezeichnete Kristallqualität, eine geringe Defektdichte und eine hohe Gleichmäßigkeit aufweist.

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Produktdetails

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Die Produktpalette von VET Energy ist nicht auf Siliziumwafer beschränkt. Wir bieten auch eine breite Palette von Halbleitersubstratmaterialien an, darunter SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat, Epi-Wafer usw. sowie neue Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke wie Galliumoxid Ga2O3 und AlN-Wafer. Diese Produkte können die Anwendungsanforderungen verschiedener Kunden in den Bereichen Leistungselektronik, Hochfrequenz, Sensoren und anderen Bereichen erfüllen.

Anwendungsgebiete:
•Integrierte Schaltkreise:Als Grundmaterial für die Herstellung integrierter Schaltkreise werden Siliziumwafer vom P-Typ häufig in verschiedenen Logikschaltkreisen, Speichern usw. verwendet.
•Leistungsgeräte:Siliziumwafer vom P-Typ können zur Herstellung von Leistungsgeräten wie Leistungstransistoren und Dioden verwendet werden.
•Sensoren:Siliziumwafer vom P-Typ können zur Herstellung verschiedener Arten von Sensoren verwendet werden, wie z. B. Drucksensoren, Temperatursensoren usw.
•Solarzellen:Siliziumwafer vom P-Typ sind ein wichtiger Bestandteil von Solarzellen.

VET Energy bietet seinen Kunden maßgeschneiderte Waferlösungen und kann Wafer mit unterschiedlichem spezifischem Widerstand, unterschiedlichem Sauerstoffgehalt, unterschiedlicher Dicke und anderen Spezifikationen entsprechend den spezifischen Bedürfnissen der Kunden anpassen. Darüber hinaus bieten wir professionellen technischen Support und Kundendienst, um Kunden bei der Lösung verschiedener Probleme im Produktionsprozess zu unterstützen.

WAFERING-SPEZIFIKATIONEN

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel	8 Zoll	6 Zoll			4 Zoll
Artikel	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD) – Absoluter Wert	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Waferkante	Abschrägung

OBERFLÄCHENVERARBEITUNG

*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend

Artikel	8 Zoll	6 Zoll			4 Zoll
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Oberflächenbeschaffenheit	Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP
Oberflächenrauheit	(10 um x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm C-Fläche Ra≤ 0,5 nm			(5 um x 5 um) Si-Oberfläche Ra≤0,2 nm C-Fläche Ra≤0,5 nm
Kantensplitter	Nicht zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm)
Einrückungen	Nichts erlaubt
Kratzer (Si-Face)	Menge ≤ 5, kumulativ Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser	Menge ≤ 5, kumulativ Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser			Menge ≤ 5, kumulativ Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser
Risse	Nichts erlaubt
Kantenausschluss	3mm