SiC-beschichtetes Graphit-Halbmondteilis a SchlüsselKomponente, die in Halbleiterherstellungsprozessen verwendet wird, insbesondere für SiC-Epitaxieanlagen.Wir verwenden unsere patentierte Technologie, um das Halbmondteil herzustellenextrem hohe Reinheit,GutBeschichtungGleichmäßigkeitund eine hervorragende Lebensdauer, sowiehohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilitätseigenschaften.
VET Energy ist Dieechter Hersteller von maßgeschneiderten Graphit- und Siliziumkarbidprodukten mit CVD-Beschichtung,liefern kannverschiedenkundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. OUnser technisches Team stammt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann professionellere Materiallösungen anbietenfür dich.
Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Prozesse, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen.Undhaben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Verbindung zwischen der Beschichtung und dem Untergrund fester und weniger anfällig für Ablösungen machen kann.
FEigenschaften unserer Produkte:
1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen bis 1700℃.
2. Hohe Reinheit undthermische Gleichmäßigkeit
3. Hervorragende Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und langlebiger
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC-β-Phase多晶, 主要为（111）取向 |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2~10μm |
| 纯度 / Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalLeitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik zu besuchen. Lassen Sie uns weitere Gespräche führen!
