Der monokristalline 8-Zoll-Siliziumwafer von VET Energy ist eine branchenführende Lösung für die Herstellung von Halbleitern und elektronischen Geräten. Mit ihrer überragenden Reinheit und Kristallstruktur eignen sich diese Wafer ideal für Hochleistungsanwendungen sowohl in der Photovoltaik- als auch in der Halbleiterindustrie. VET Energy stellt sicher, dass jeder Wafer sorgfältig verarbeitet wird, um die höchsten Standards zu erfüllen und eine hervorragende Gleichmäßigkeit und eine glatte Oberflächenbeschaffenheit zu gewährleisten, die für die Produktion fortschrittlicher elektronischer Geräte unerlässlich sind.
Diese monokristallinen 8-Zoll-Siliziumwafer sind mit einer Reihe von Materialien kompatibel, darunter Si-Wafer, SiC-Substrat, SOI-Wafer und SiN-Substrat, und eignen sich besonders für das Epi-Wafer-Wachstum. Ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit und elektrischen Eigenschaften machen sie zu einer zuverlässigen Wahl für eine hocheffiziente Fertigung. Darüber hinaus sind diese Wafer so konzipiert, dass sie nahtlos mit Materialien wie Galliumoxid-Ga2O3- und AlN-Wafern zusammenarbeiten und ein breites Anwendungsspektrum von der Leistungselektronik bis hin zu HF-Geräten bieten. Die Wafer passen auch perfekt in Kassettensysteme für hochvolumige, automatisierte Produktionsumgebungen.
Die Produktpalette von VET Energy ist nicht auf Siliziumwafer beschränkt. Wir bieten auch eine breite Palette von Halbleitersubstratmaterialien an, darunter SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat, Epi-Wafer usw. sowie neue Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke wie Galliumoxid Ga2O3 und AlN-Wafer. Diese Produkte können die Anwendungsanforderungen verschiedener Kunden in den Bereichen Leistungselektronik, Hochfrequenz, Sensoren und anderen Bereichen erfüllen.
VET Energy bietet Kunden maßgeschneiderte Wafer-Lösungen. Wir können Wafer mit unterschiedlichem spezifischem Widerstand, Sauerstoffgehalt, Dicke usw. entsprechend den spezifischen Anforderungen der Kunden anpassen. Darüber hinaus bieten wir professionellen technischen Support und Kundendienst, um Kunden bei der Lösung verschiedener Probleme zu unterstützen, die während des Produktionsprozesses auftreten.
WAFERING-SPEZIFIKATIONEN
*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD) – Absoluter Wert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Waferkante | Abschrägung |
OBERFLÄCHENVERARBEITUNG
*n-Pm=n-Typ Pm-Qualität, n-Ps=n-Typ Ps-Qualität, Sl=halbisolierend
Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Oberflächenbeschaffenheit | Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP | ||||
Oberflächenrauheit | (10 um x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5 um x 5 um) Si-Oberfläche Ra≤0,2 nm | |||
Kantensplitter | Nicht zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm) | ||||
Einrückungen | Nichts erlaubt | ||||
Kratzer (Si-Face) | Menge ≤ 5, kumulativ | Menge ≤ 5, kumulativ | Menge ≤ 5, kumulativ | ||
Risse | Nichts erlaubt | ||||
Kantenausschluss | 3mm |