ProduktDBeschreibung
Siliziumkarbid-Waferboote werden häufig als Waferhalter in Hochtemperaturdiffusionsprozessen eingesetzt.
Vorteile:
Hohe Temperaturbeständigkeit:Normale Verwendung bei 1800 °C
Hohe Wärmeleitfähigkeit:entspricht Graphitmaterial
Hohe Härte:Härte nach Diamant, Bornitrid
Korrosionsbeständigkeit:Starke Säuren und Laugen üben keine Korrosion darauf aus; die Korrosionsbeständigkeit ist besser als die von Wolframcarbid und Aluminiumoxid.
Leichtgewicht:geringe Dichte, ähnlich wie Aluminium
Keine Verformung: niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient
Beständigkeit gegen Temperaturschocks:Es hält starken Temperaturschwankungen stand, widersteht Temperaturschocks und bietet eine stabile Leistung.
Physikalische Eigenschaften von SiC
| Eigentum | Wert | Verfahren |
| Dichte | 3,21 g/cm³ | Sinken-Schwimmen und Dimension |
| Spezifische Wärmekapazität | 0,66 J/g °K | gepulster Laserblitz |
| Biegefestigkeit | 450 MPa 560 MPa | 4-Punkt-Biegung, RT4-Punkt-Biegung, 1300° |
| Bruchzähigkeit | 2,94 MPa m1/2 | Mikroindentation |
| Härte | 2800 | Vickers, 500 g Ladung |
| Elastizitätsmodul Young-Modul | 450 GPa 430 GPa | 4-Punkt-Biegung, RT4-Punkt-Biegung, 1300 °C |
| Körnung | 2 – 10 µm | SEM |
Thermische Eigenschaften von SiC
| Wärmeleitfähigkeit | 250 W/m °K | Laserblitzmethode, RT |
| Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5 x 10-6 °K | Raumtemperatur bis 950 °C, Quarz-Dilatometer |
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