4 tum GaN på SiC Wafer

VET Energys produktlinje är inte begränsad till GaN på SiC-skivor. Vi tillhandahåller också ett brett utbud av halvledarsubstratmaterial, inklusive Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. Dessutom utvecklar vi också aktivt nya halvledarmaterial med breda bandgap, såsom Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer, för att möta den framtida kraftelektronikindustrins efterfrågan på enheter med högre prestanda.

VET Energy tillhandahåller flexibla anpassningstjänster och kan anpassa GaN epitaxiella lager av olika tjocklekar, olika typer av dopning och olika waferstorlekar efter kundernas specifika behov. Dessutom tillhandahåller vi även professionell teknisk support och eftermarknadsservice för att hjälpa kunder att snabbt utveckla högpresterande kraftelektroniska enheter.